[發明專利]納米孔形成方法及分析方法在審
| 申請號： | 201980076376.1 | 申請日： | 2019-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN113164899A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 柳至 | 申請（專利權）人： | 株式會社日立制作所 |
| 主分類號： | B01J19/08 | 分類號： | B01J19/08;B82Y35/00;B82Y40/00;G01N27/00;H01L21/306;C12M1/00;C12M1/34;C12Q1/6869 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 陳彥;宋海花 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 形成 方法 分析 | ||
1.一種納米孔形成方法，其特征在于，包括：
在第一水溶液和第二水溶液間配置SiNx膜；
使第一電極與所述第一水溶液接觸，使第二電極與所述第二水溶液接觸；以及
對于所述第一電極和所述第二電極施加電壓，
所述SiNx膜的組成比為1＜x＜4/3，
所述第一水溶液和所述第二水溶液的至少任一者的pH為10以上。
2.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述第一水溶液和所述第二水溶液的至少任一者的pH大于11。
3.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，進一步包括：在流經所述第一電極和所述第二電極間的電流達到預定的閾值電流的時刻，停止所述電壓的施加。
4.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述SiNx膜的膜密度為2.8g/cm3以上3.2g/cm3以下。
5.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述SiNx膜的應力為600Mpa以上。
6.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述SiNx膜被稀釋成1/200的HF水溶液蝕刻的蝕刻速率為0.5nm/min以下。
7.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述SiNx膜的膜厚為5nm以上100nm以下。
8.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，所述第一水溶液和所述第二水溶液中，溶解有KCl、LiCl、NaCl、CaCl2、MgCl2、CsCl中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，在所述第一水溶液的pH為10以上，所述第二水溶液的pH小于10的情況下，以使所述第一水溶液的電位低于所述第二水溶液的電位的方式，對于所述第一電極和所述第二電極施加所述電壓。
10.根據權利要求1所述的納米孔形成方法，其特征在于，在所述SiNx膜的表面或內部層疊有與所述SiNx膜不同的膜。
11.一種分析方法，其特征在于，為使用納米孔來分析測定對象物的方法，其包括：
在第一水溶液和第二水溶液間配置SiNx膜；
使第一電極與所述第一水溶液接觸，使第二電極與所述第二水溶液接觸；
使所述第一水溶液或所述第二水溶液含有測定對象物；
通過對于所述第一電極和所述第二電極施加電壓，從而在所述SiNx膜形成所述納米孔；以及
通過測定所述測定對象物通過所述納米孔時的所述第一電極和所述第二電極間的電流值，從而進行所述測定對象物的分析，
所述SiNx膜的組成比為1＜x＜4/3，
所述第一水溶液和所述第二水溶液的至少任一者的pH為10以上。
12.根據權利要求11所述的分析方法，其特征在于，在所述第一水溶液的pH為10以上，所述第二水溶液的pH小于10的情況下，所述第二水溶液含有所述測定對象物。
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