[發明專利]適形膜的逐層生長方法

在審

• 申請號: 201980074265.7
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN113016062A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 約迪·格熱?？凭S亞克;安東·德維利耶;丹尼爾·富爾福德
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

本文的技術包括在包括半導體晶圓的襯底上形成適形膜的方法。常規的成膜技術可能是緩慢且昂貴的。本文的方法包括在該襯底上沉積自組裝單層(SAM)膜。該SAM膜可以包括被配置為響應于預定刺激而產生酸的酸產生劑。在該SAM膜上沉積聚合物膜。該聚合物膜可溶于預定顯影劑并且被配置為響應于暴露于該酸而改變溶解度。該酸產生劑被刺激并產生酸。將該酸擴散到該聚合物膜中。用該預定顯影劑對該聚合物膜進行顯影，以去除該聚合物膜的未被保護免于該預定顯影劑的部分?？梢詫⑦@些方法步驟重復希望的次數，以逐層生長聚集膜。

援引并入

本披露要求于2018年11月13日提交的美國臨時申請號62/760607的權益，該美國臨時申請通過援引以其全文并入本文。

技術領域

本披露涉及一種在晶圓上沉積材料以用于半導體的處理和微制造的方法。

背景技術

本文提供的背景描述是為了一般地呈現本披露的上下文。當前發明人的工作在本背景部分中所描述的程度上、以及在提交時間時可能不被認定為現有技術的本說明的方面，既沒有明確地也沒有隱含地承認是針對本披露的現有技術。

適形涂層提供了一種遵循襯底的形貌的膜，該膜在所有表面上通常具有均勻的厚度。常規的適形涂層是通過原子層沉積(ALD)或化學氣相沉積(CVD)進行沉積的。然而，ALD和CVD可能是緩慢且昂貴的—特別是在希望相對較厚的膜時。

希望適形涂層用于微制造中的許多應用。這些應用中的一些包括多色(多材料)圖案化和用于硅通孔(TSV)互連的襯墊。使用涂布器-顯影系統可以實現具有不同組成的適形膜的逐層生長。與ALD相比，此類技術逐層生長更快。然而，將相對厚的膜(一至幾微米)用于一些應用，并且希望提供足夠快的生長速率以適應希望的產量的技術。

發明內容

本披露涉及一種處理襯底的方法，該方法包括：提供襯底；在該襯底上沉積自組裝單層(SAM)的第一膜，該SAM的第一膜包括被配置為響應于預定刺激而產生酸的酸產生劑；在該SAM的第一膜上沉積聚合物的第一膜，該聚合物的第一膜可溶于預定顯影劑并且被配置為響應于暴露于該酸而改變溶解度；刺激該酸產生劑；將該酸從該酸產生劑擴散到該聚合物的第一膜中；并且用該預定顯影劑對該聚合物的第一膜進行顯影，以去除該聚合物的第一膜的未被保護免于該預定顯影劑的部分。

本披露另外涉及一種處理襯底的方法，該方法包括：提供襯底；在該襯底上沉積自組裝單層(SAM)的第一膜，該SAM的結構包括頭基、尾部、和官能團，該尾部將該頭基連接到該官能團，該頭基附接到該襯底的表面，該官能團包括胺官能團；在該SAM的第一膜上沉積二酐的第一膜，該二酐的第一膜包括二酐分子；使該胺官能團與這些二酐分子的酸酐末端反應，以形成酰亞胺鍵；并且從該襯底中去除沒有與該胺官能團反應的剩余二酐分子。

應注意的是，本發明內容部分并未指明本披露或要求保護的發明的所有實施例和/或遞增的新穎方面。相反，本發明內容僅提供了對不同實施例以及新穎性對應點的初步討論。對于本發明和實施例的附加細節和/或可能的觀點而言，讀者應查閱如以下進一步討論的本披露的具體實施方式部分和相應附圖。

附圖說明

將參考以下附圖詳細描述作為實例提出的本披露的各種實施例，其中，相同的附圖標記指代相同的元件，并且在附圖中：

圖1A是展示根據本披露的實施例的SAM分子的基本結構的示意圖。

圖1B是示出根據本披露的實施例的SAM分子可以如何附接到襯底上的示意圖。

圖2A是展示根據本披露的實施例的布置在形成溝槽的襯底表面上的結構的橫截面襯底段。

圖2B是展示根據本披露的實施例的移接到襯底上的SAM的第一膜的橫截面襯底段。