[發明專利]適形膜的逐層生長方法

在審

• 申請號: 201980074265.7
• 申請日: 2019-11-12
• 公開（公告）號: CN113016062A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 約迪·格熱希科維亞克;安東·德維利耶;丹尼爾·富爾福德
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02;H01L21/324
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

1.一種處理襯底的方法，該方法包括：

提供襯底；

在該襯底上沉積自組裝單層(SAM)的第一膜，該SAM的第一膜包括被配置為響應于預定刺激而產生酸的酸產生劑；

在該SAM的第一膜上沉積聚合物的第一膜，該聚合物的第一膜可溶于預定顯影劑并且被配置為響應于暴露于該酸而改變溶解度；

刺激該酸產生劑；

將該酸從該酸產生劑擴散到該聚合物的第一膜中；并且

用該預定顯影劑對該聚合物的第一膜進行顯影，以去除該聚合物的第一膜的未被保護免于該預定顯影劑的部分。

2.如權利要求1所述的方法，該方法進一步包括：

在該聚合物的第一膜上沉積該SAM的第二膜，該SAM的第二膜包括被配置為響應于該預定刺激而產生酸的該酸產生劑；

在該SAM的第二膜上沉積該聚合物的第二膜，該聚合物的第二膜可溶于該預定顯影劑并且被配置為響應于暴露于該酸而改變溶解度；

刺激該酸產生劑；

將該酸從該酸產生劑擴散到該聚合物的第二膜中；并且

用該預定顯影劑對該聚合物的第二膜進行顯影，以去除該聚合物的第二膜的未被保護免于該預定顯影劑的部分。

3.如權利要求2所述的方法，該方法進一步包括：

重復沉積該SAM的給定膜、沉積該聚合物的給定膜、刺激該酸產生劑、擴散該酸并用該預定顯影劑將該聚合物的給定膜顯影的至少一次迭代。

4.如權利要求3所述的方法，其中，進行該重復直到達到這些SAM膜和這些聚合物膜的組合厚度的預定厚度。

5.如權利要求1所述的方法，其中，當被擴散到該聚合物中時，該酸引發交聯反應，以保護該聚合物免于該預定顯影劑。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該聚合物的第一膜的厚度是基于到該聚合物的第一膜中的該酸的酸擴散長度。

7.如權利要求6所述的方法，其中，該酸的酸擴散長度由烘烤時間、烘烤溫度和該酸的分子量中的至少一項決定。

8.如權利要求7所述的方法，其中，該酸擴散長度由該烘烤溫度和該烘烤時間決定。

9.如權利要求1所述的方法，其中，該襯底包括布置在該襯底表面上的結構。

10.如權利要求1所述的方法，其中，該SAM的結構包括頭基、尾部、和官能團，該尾部將該頭基連接到該官能團，該頭基附接到該襯底的表面，并且該官能團被配置為響應于該預定刺激而產生該酸。

11.如權利要求1所述的方法，其中，該酸產生劑響應于高于預定溫度閾值的加熱而產生酸。

12.如權利要求1所述的方法，其中，該酸產生劑響應于暴露于具有預定波長的輻射而產生酸。

13.如權利要求1所述的方法，其中，該SAM的第一膜通過旋涂沉積進行沉積。

14.如權利要求1所述的方法，其中，該方法在基于軌道的處理模塊中執行。

15.如權利要求1所述的方法，該方法進一步包括：

確定刺激暴露的第一模式，該刺激暴露的第一模式在整個該襯底的表面上具有空間可變的暴露強度，其中，

基于該刺激暴露的第一模式刺激該酸產生劑。

16.如權利要求15所述的方法，其中，刺激該酸產生劑是基于通過直寫投影工具對該SAM進行的空間定向加熱。

17.如權利要求15所述的方法，其中，刺激該酸產生劑是基于通過直寫投影工具，用具有預定波長的輻射對該SAM進行的空間定向照射。