[發明專利]帶載體的金屬箔、以及使用其的毫米波天線基板的制造方法

在審

• 申請號: 201980073906.7
• 申請日: 2019-11-19
• 公開（公告）號: CN112969580A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 小宮未希子;柳井威范;石井林太郎;松浦宜范
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;H05K1/09
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種帶載體的金屬箔，其具備：

(a)載體；

(b)剝離功能層，其設置在所述載體上；以及

(c)復合金屬層，其設置在所述剝離功能層上，

所述(b)剝離功能層包含：

(b1)密合層，其在靠近所述載體的一側，厚度大于10nm且小于200nm；以及

(b2)剝離輔助層，其在遠離所述載體的一側，厚度為50nm以上且500nm以下，

所述(c)復合金屬層包含：

(c1)碳層，其在靠近所述剝離輔助層的一側；以及

(c2)第1金屬層，其在遠離所述剝離輔助層的一側，主要由Au或Pt構成。

2.根據權利要求1所述的帶載體的金屬箔，其中，所述載體由玻璃、硅、或陶瓷構成。

3.根據權利要求1或2所述的帶載體的金屬箔，其中，所述剝離功能層具備至少1層包含80原子％以上的選自由Cu、Ti、Ta、Cr、Ni、Al、Mo、Zn、W、TiN、及TaN組成的組中的至少一種的層作為所述密合層和/或所述剝離輔助層。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述剝離輔助層的厚度T₂相對于所述密合層的厚度T₁之比T₂/T₁大于1且為20以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述碳層包含無定形碳。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述第1金屬層具有50nm以上且2000nm以下的厚度。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述復合金屬層還包含(c3)第2金屬層，其設置在所述碳層與所述第1金屬層之間，包含50原子％以上的選自由Ti、Ta、Ni、W、Cr、及Pd組成的組中的至少一種。

8.根據權利要求7所述的帶載體的金屬箔，其中，所述第2金屬層具有50nm以上且1000nm以下的厚度。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的帶載體的金屬箔，其中，所述復合金屬層還包含(c4)阻隔層，其設置在所述第1金屬層的遠離所述碳層一側的面，總計包含50原子％以上的選自由Ti、Ta、Ni、W、Cr、及Pd組成的組中的至少一種。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的帶載體的金屬箔，其用于毫米波天線基板的制造。

11.一種毫米波天線基板的制造方法，其包括使用權利要求1～9中任一項所述的帶載體的金屬箔來制造毫米波天線基板的步驟。