[發明專利]用于將蝕刻層蝕刻的方法

在審

• 申請號: 201980072844.8
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112997282A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 尼基爾·多樂;柳川拓海
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

提供了一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，所述堆疊件包括在襯底上的介電材料。在步驟(a)中，由蝕刻氣體產生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且部分地蝕刻所述堆疊件中的特征。在步驟(b)中，在步驟(a)之后提供原子層沉積工藝以在側壁上沉積保護膜。所述原子層沉積工藝包括多個循環，其中每個循環包括：將所述堆疊件暴露于包含WF₆的第一反應物氣體中，其中所述第一反應物氣體被吸附到所述堆疊件上；以及將所述堆疊件暴露于由第二反應物氣體形成的等離子體，其中由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體與吸附的第一反應物氣體反應以在所述堆疊件上方形成保護膜。在步驟(c)中，至少重復步驟(a)?(b)一次。

相關申請的交叉引用

本申請要求2018年11月5日提交的美國申請No.62/755,707的優先權利益，其全部內容通過引用并入本文以用于所有目的。

技術領域

本公開內容涉及在半導體晶片上形成半導體設備的方法。更具體地，本公開內容涉及在堆疊件中的蝕刻層中蝕刻凹入特征。

背景技術

在形成半導體設備中，可以對蝕刻層進行蝕刻以形成觸點孔或溝槽。一些半導體設備可以通過蝕刻基于氧化硅(SiO₂)的層來形成。

發明內容

為了實現前述目標，并且根據本公開內容的目的，提供了一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，所述堆疊件包括在襯底上的介電材料。在步驟(a)中，由蝕刻氣體產生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且部分地蝕刻所述堆疊件中的特征。在步驟(b)中，在步驟(a)之后提供原子層沉積工藝以在側壁上沉積保護膜。所述原子層沉積工藝包括多個循環，其中每個循環包括：將所述堆疊件暴露于包含WF₆的第一反應物氣體中，其中所述第一反應物氣體被吸附到所述堆疊件上；以及將所述堆疊件暴露于由第二反應物氣體形成的等離子體，其中由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體與吸附的第一反應物氣體反應以在所述堆疊件上方形成保護膜。在步驟(c)中，至少重復步驟(a)-(b)一次。

在另一實現方式中，提供一種用于蝕刻堆疊件中的特征的裝置。提供一種處理室。襯底支撐件在所述處理室內。氣體入口向所述處理室提供氣體。氣體源將所述氣體提供給氣體入口，其中，所述氣體源包括：蝕刻氣體源；WF₆氣體源；和反應物氣體源。提供排放泵以用于從所述處理室抽出氣體。電極在所述處理室中提供RF功率。至少一個電源向所述電極提供功率。控制器能控制地連接至所述氣體源和所述至少一個電源，其中，所述控制器包括：至少一個處理器；和計算機可讀介質。所述計算機可讀介質包括用于通過第一多個循環執行蝕刻堆疊件的計算機代碼，其中所述第一多個循環中的每一個包括：部分地蝕刻所述堆疊件；并且通過原子層沉積，經由提供第二多個循環而在所述堆疊件上沉積層。所述第二多個循環中的每個循環包括：使含WF₆的氣體從所述WF₆氣體源流動；將所述含WF₆的氣體吸附到所述堆疊件上；停止所述含WF₆的氣體的流動；以及將所述堆疊件暴露于來自所述反應物氣體源的反應物氣體的等離子體中，其中所述等離子體將吸附的所述含WF₆的氣體轉化為原子層沉積層。

本公開內容的這些特征和其它特征將在下面在本公開內容的詳細描述中并結合以下附圖進行更詳細的描述。

附圖說明

在附圖中以示例而非限制的方式示出了本公開，并且附圖中相同的附圖標記表示相似的元件，其中：

圖1是一種實施方案的高階流程圖。

圖2A-G是根據一個實施方案處理的堆疊件的示意圖。

圖3是可以在實施方案中使用的蝕刻室的示意圖。

圖4是可用于實踐實施方案的計算機系統的示意圖。

具體實施方式