[發明專利]用于將蝕刻層蝕刻的方法

在審

• 申請號: 201980072844.8
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN112997282A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 尼基爾·多樂;柳川拓海
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/324;H01L21/02;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/46
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種在堆疊件中蝕刻特征的方法，所述堆疊件包括在襯底上的介電材料，所述方法包括：

(a)由蝕刻氣體產生蝕刻等離子體，將所述堆疊件暴露于所述蝕刻等離子體，并且部分地蝕刻所述堆疊件中的特征；

(b)在(a)之后提供原子層沉積工藝以在側壁上沉積保護膜，所述原子層沉積工藝包括多個循環，其中每個循環包括：

(i)將所述堆疊件暴露于包含WF₆的第一反應物氣體，其中所述第一反應物氣體被吸附到所述堆疊件上；以及

(ii)將所述堆疊件暴露于由第二反應物氣體形成的等離子體，其中由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體與吸附的第一反應物氣體反應以在所述堆疊件上方形成保護膜；以及

(c)至少重復一次(a)-(b)。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述提供所述原子層沉積工藝還包括將堆疊件溫度保持在150℃以下。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二反應物氣體包括含氧組分或含氮組分中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二反應物氣體包括COS、CO₂、CO、SO₂、O₂、N₂、NH₃或O₃中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述堆疊件包括SiO₂。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述堆疊件還包括硬掩模。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述硬掩模包括非晶碳、摻雜硼的碳、摻雜硼的硅、摻雜金屬的碳或多晶硅中的一種或多種。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述提供所述原子層沉積工藝執行2至100個循環。

9.根據權利要求1所述的方法，其中，每個循環還包括：

在將所述堆疊件暴露于所述第一反應物氣體之后且將所述堆疊件暴露于由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體之前，清掃所述第一反應物氣體；以及

在將所述堆疊件暴露于由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體之后，清掃由所述第二反應物氣體形成的所述等離子體。

10.根據權利要求1所述的方法，其中將所述堆疊件暴露于所述第一反應物氣體是無等離子體步驟。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，步驟(a)-(c)是原位進行的。