[發明專利]具有改善的部件之間連接的氣腔封裝在審
| 申請號: | 201980072420.1 | 申請日: | 2019-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN113169074A | 公開(公告)日: | 2021-07-23 |
| 發明(設計)人: | A·埃利奧特;W·斯托姆 | 申請(專利權)人: | RJR技術公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/52;H01L23/10;H01L23/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 浦易文 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 改善 部件 之間 連接 封裝 | ||
一種具有一個或多個燕尾凹口的氣腔封裝,燕尾凹口構造有第一凹槽和重合的第二凹槽。第一凹槽具有第一深度,而第二凹槽具有第二深度。第一凹槽具有下部寬度和形成燕尾形狀的、小于第一下部寬度的上部寬度。通過在凸緣中以第一寬度和第一深度形成第一凹槽來產生各個燕尾凹槽。具有第二寬度和第二深度并且與第一凹槽重合的第二凹槽被壓入到凸緣中。第二寬度大于第一寬度,并且第二深度小于第一深度。壓入第二凹槽使處在上部的第一寬度減小,使第一凹槽形成燕尾形狀。
技術領域
本公開總體上涉及具有改善氣腔封裝的部件之間的連接的結構和機構的氣腔封裝。
背景技術
電子裝置在全世界的消費和商業產品及設備中是非常常見的。其中許多包括電路,電路通常由諸如硅、砷化鎵和其他類似的“半導體”材料構成,并且在工業中通常被稱為“管芯”或“芯片”。任何給定的管芯都可能包含用于執行各種功能的大量電路元件。在使用中,這些管芯通常被結合到被稱為氣腔封裝(ACP)的封裝中,這種封裝通常由圍繞用于容納管芯的空間的殼體以及提供各種功能的各種電氣部件構成。ACP殼體通常包括凸緣或基部、附接到該凸緣的一個或多個絕緣側壁以及延伸穿過其中的引線框架。在殼體的內部,引線框架結合到管芯。許多保護性殼體包括兩個件,包括一組側壁和一個蓋,但是一些殼體模制成一件式組件。
存在多種傳統上已知的方式以組裝ACP的部件,諸如通過使用粘合劑和環氧樹脂、機械緊固件等進行機械結合。然而,其中某些方法(諸如粘合劑和環氧樹脂)可能由于例如分離或分層而失效。改善這些結合的常規技術需要更多對部件進行加工的步驟,包括更復雜的幾何形狀(例如,在凸緣中產生的長通道)和對被施加粘合劑的表面進行機械和/或化學處理,產生額外的加工步驟和成本。因此,需要一種在不顯著影響處理和相關成本的情況下提高將ACP的組件彼此固定的強度和能力的結構和機構。
發明內容
雖然本公開解決現有技術的缺點的方式將在下面更詳細地討論,一般而言,本公開涉及這樣的ACP,其具有一個或多個單個燕尾凹槽(即,模制鎖定件),以改善ACP的組成部分的連接。本公開的ACP包括凸緣、引線框架以及側壁和/或蓋。根據本公開的各種方面,側壁可以包括各種類型的聚合物,諸如液晶聚合物(LCP)和其他合適的材料。
根據本公開,凸緣可以在靠近側壁與凸緣連接的區域處具有一個或多個單獨的燕尾凹槽。單獨的燕尾凹槽用作模制鎖定件。每個燕尾凹槽構造有第一凹槽和與第一凹槽重合的第二凹槽。第一凹槽具有第一深度,第二凹槽具有小于第一深度的第二深度。第一凹槽具有第一下部寬度和小于第一下部寬度的第一上部寬度,因此產生燕尾形狀,該燕尾形狀允許側壁的模制材料在固化之后更牢固地鎖定在凸緣的燕尾凹槽內,因為燕尾凹槽內的材料的下部寬度大于燕尾凹槽的第一上部寬度。
根據本公開,通過首先在凸緣中以第一寬度和第一深度形成第一凹槽來產生燕尾凹槽。接著,將具有第二寬度和第二深度并且與第一凹槽重合的第二凹槽壓入到凸緣中。第二寬度大于第一寬度,并且第二深度小于第一深度。因此,第二凹槽的壓入使在第一凹槽的上部處的第一寬度減小并且產生懸伸,使第一凹槽形成燕尾形狀。
附圖說明
包括附圖以提供對本公開的進一步理解,并且附圖包含在本說明書中并構成本說明書的一部分,附圖示出了本公開的實施例,并且與說明書一起用于闡釋本公開的原理,其中相同的數字表示相同的元件,并且其中:
圖1是氣腔封裝的剖視圖,該氣腔封裝具有凸緣、引線框架、側壁和蓋,凸緣具有單獨的燕尾凹槽;
圖2是凸緣的其中形成有燕尾凹槽的一部分的放大剖視圖;
圖3A是凸緣的具有被成形為燕尾之前的第一凹槽的一部分的放大剖視圖;
圖3B是圖3A的凸緣的壓力件在其中形成第二凹槽的一部分的放大剖視圖;
圖3C是在壓力件被移除之后示出具有燕尾形狀的第一凹槽的圖3A的凸緣的一部分的放大剖視圖;以及
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





