[發(fā)明專利]具有改善的部件之間連接的氣腔封裝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980072420.1 | 申請(qǐng)日： | 2019-09-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113169074A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | A·埃利奧特;W·斯托姆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | RJR技術(shù)公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/50 | 分類號(hào)： | H01L21/50;H01L21/52;H01L23/10;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 浦易文 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 改善 部件 之間 連接 封裝 | ||
1.一種在空氣腔封裝的凸緣中產(chǎn)生單個(gè)燕尾凹槽的方法，所述方法包括以下步驟：
在凸緣中產(chǎn)生具有第一寬度和第一深度的第一凹槽；
將第二凹槽壓入到凸緣中，該第二凹槽與第一凹槽重合并且具有第二寬度和第二深度，其中第二寬度大于第一寬度，并且第二深度小于第一深度；以及
其中，壓入第二凹槽使在第一凹槽的上部處的第一寬度減小，使第一凹槽形成燕尾形狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽是橢圓形的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二凹槽是橢圓形的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽是矩形的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二凹槽是矩形的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述凸緣中、靠近氣腔封裝側(cè)壁的附接位置處產(chǎn)生多個(gè)單獨(dú)的燕尾凹槽。
7.一種氣腔封裝，包括凸緣，所述凸緣具有多個(gè)單獨(dú)的燕尾凹槽,所述多個(gè)單獨(dú)的燕尾凹槽靠近氣腔封裝側(cè)壁的附接位置的圍繞凸緣周緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣腔封裝，其特征在于，所述單獨(dú)的燕尾凹槽中的至少一個(gè)是橢圓形的。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣腔封裝，其特征在于，所述單獨(dú)的燕尾凹槽中的至少一個(gè)是矩形的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
