[發明專利]存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 201980072392.3
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112970113A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: C·豪德;R·J·克萊因
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/1157;H01L29/792;H01L29/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

一種存儲器陣列，其包括豎直堆疊，所述豎直堆疊包括交替的絕緣層和字線層。所述字線層包括各個存儲器單元的柵極區。所述柵極區分別包括各個所述字線層中的字線的部分。溝道材料豎向地延伸穿過所述絕緣層和所述字線層。所述各個存儲器單元包括橫向位于所述柵極區與所述溝道材料之間的存儲器結構。各個所述字線包括橫向外側縱向邊緣部分和橫向鄰近各個所述橫向外側縱向邊緣部分的相應橫向內側部分。所述各個橫向外側縱向邊緣部分相對于其橫向鄰近的橫向內側部分向上和向下突出。公開了方法。

技術領域

本文公開的實施例涉及存儲器陣列且涉及用于形成存儲器陣列的方法。

背景技術

存儲器是一種類型的集成電路系統且用于計算機系統中以存儲數據。存儲器可被制造成各個存儲器單元的一或多個陣列。可使用數字線(其也可稱為位線、數據線或感測線)和存取線(其也可稱為字線)來寫入到存儲器單元或從存儲器單元讀取。感測線可沿著陣列的列使存儲器單元以導電方式互連，且存取線可沿著陣列的行使存儲器單元以導電方式互連。每一存儲器單元可通過感測線與存取線的組合唯一地尋址。

存儲器單元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存儲器單元可在不通電的情況下將數據存儲很長一段時間。非易失性存儲器通常被指定為具有至少約10年保持時間的存儲器。易失性存儲器會消散，且因此經刷新/重寫以維持數據存儲。易失性存儲器可具有數毫秒或更短的保留時間。無論如何，存儲器單元被配置成以至少兩個不同可選狀態保留或存儲存儲器。在二進制系統中，狀態被視為“0”或“1”。在其它系統中，至少一些各個存儲器單元可被配置成存儲兩個以上水平或狀態的信息。

場效應晶體管是可用于存儲器單元中的一種類型的電子組件。這些晶體管包括其間具有半導電溝道區的一對導電源極/漏極區。導電柵極鄰近于溝道區且通過薄的柵極絕緣體與溝道區分離。向柵極施加合適的電壓允許電流通過溝道區從源極/漏極區中的一者流動到另一者。當從柵極去除電壓時，大大地防止了電流流動通過溝道區。場效應晶體管還可包含額外結構，例如，作為柵極絕緣體與導電柵極之間的柵極構造的部分的可逆可編程電荷存儲區。

快閃存儲器是一種類型的存儲器，且大量用于現代計算機和裝置中。例如，現代個人計算機可使BIOS存儲在快閃存儲器芯片上。作為另一實例，越來越常見的是，計算機和其它裝置利用呈固態驅動器的快閃存儲器替代傳統的硬盤驅動器。作為又一實例，快閃存儲器在無線電子裝置中普及，這是因為快閃存儲器使制造商能夠在新的通信協議變得標準化時支持所述新的通信協議，且使制造商能夠提供針對增強特征遠程升級裝置的能力。

NAND可以是集成式快閃存儲器的基本架構。NAND單元裝置包括與存儲器單元的串聯組合進行串聯耦合的至少一個選擇裝置(且所述串聯組合通常稱為NAND串)。NAND架構可按三維布置配置，其包括豎直堆疊的存儲器單元，所述豎直堆疊的存儲器單元單獨地包括可以可逆方式編程的豎直晶體管。控制件或其它電路系統可形成于豎直堆疊的存儲器單元之下。其它易失性或非易失性存儲器陣列架構也可包括單獨地包括晶體管的豎直堆疊的存儲器單元。

附圖說明

圖1是根據本發明實施例的工藝中的襯底的一部分的橫截面示意圖。

圖1A是圖1的一部分的放大視圖。

圖2是在圖1所示工藝步驟之后的工藝步驟處且穿過圖3中的線2-2截取的圖1襯底的視圖。

圖3是穿過圖2中的線3-3截取的視圖。

圖4是在圖3所示工藝步驟之后的工藝步驟處的圖3襯底的視圖。

圖5是在圖4所示工藝步驟之后的工藝步驟處且穿過圖6中的線5-5截取的圖4襯底的視圖。

圖6是穿過圖5中的線6-6截取的視圖。

圖7是在圖6所示工藝步驟之后的工藝步驟處的圖6襯底的視圖。

圖8是在圖7所示工藝步驟之后的工藝步驟處的圖7襯底的視圖。