[發明專利]存儲器陣列和用于形成存儲器陣列的方法

在審

• 申請號: 201980072392.3
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN112970113A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: C·豪德;R·J·克萊因
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11573;H01L27/1157;H01L29/792;H01L29/66
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王艷嬌

1.一種用于形成存儲器陣列的方法，其包括：

形成包括豎直交替的絕緣層和字線層的堆疊，所述絕緣層包括相對的縱向邊緣，所述相對的縱向邊緣包括將在各個所述字線層中形成的各個字線的縱向輪廓的縱向形狀，所述字線層包括待形成的所述各個字線的第一導電材料；以及

將第二導電材料從所述第一導電材料選擇性地橫向沉積超出所述絕緣層的所述相對的縱向邊緣，所述選擇性沉積的第二導電材料向上和向下突出到各個所述絕緣層中，并且包括所述各個字線的部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其包括將絕緣體材料形成為在豎直緊鄰的字線層的所述選擇性沉積的第二導電材料的向上突出部分與向下突出部分之間豎向地完全延伸。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述絕緣體材料的所述形成在所述各個絕緣層中形成縱向拉長的空隙。

4.根據權利要求1所述的方法，其中在開始所述選擇性地沉積時，所述第一導電材料從所述絕緣層的所述相對的縱向邊緣橫向凹陷。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一導電材料和所述第二導電材料具有相對彼此相同的組成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述絕緣層初始地包括犧牲材料，并且所述方法進一步包括在所述選擇性地沉積之后去除所述犧牲材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其包括：

將溝道材料形成為豎向地延伸穿過所述絕緣層和所述字線層；以及

形成所述陣列的各個存儲器單元，以包括在柵極區和橫向位于所述柵極區與所述溝道材料之間的存儲器結構。

8.根據權利要求7所述的方法，其包括形成所述存儲器結構以包括：

所述各個存儲器單元的電荷阻擋區，其豎向地沿著所述各個柵極區；

所述各個存儲器單元的電荷存儲材料，其豎向地沿著各個所述電荷阻擋區；以及

絕緣電荷傳遞材料，其橫向位于所述溝道材料與所述電荷存儲材料之間。

9.一種用于形成存儲器陣列的方法，其包括：

形成包括豎直交替的絕緣層和字線層的堆疊，所述絕緣層和所述字線層包括相對的縱向邊緣，所述相對的縱向邊緣包括將在各個所述字線層中形成的各個字線的縱向輪廓的縱向形狀，所述字線層包括第一犧牲材料，所述絕緣層包括與所述第一犧牲材料的組成不同組成的第二材料；

將第三犧牲材料從所述第一犧牲材料選擇性地橫向沉積超出所述絕緣層的所述相對的縱向邊緣，所述選擇性沉積的第三犧牲材料向上和向下突出到各個所述絕緣層中，所述第三犧牲材料具有與所述第二材料的組成不同的組成；

在所述選擇性沉積的第三犧牲材料的正上方和正下方形成分別向上和向下突出到所述各個絕緣層中的第四材料，所述第四材料具有與所述第一和第三犧牲材料的組成不同的組成；

相對于所述第二和第四材料選擇性地去除所述第一和第三犧牲材料以形成：a)在所述第四材料中向上和向下延伸的空腔，和b)字線層空隙；以及

在所述空腔和在所述字線層空隙中形成導電材料并形成所述各個字線以包括所述空腔和所述字線層空隙中的所述導電材料。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一犧牲材料和所述第三犧牲材料具有相對彼此相同的組成。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述第二材料和所述第四材料具有相對彼此相同的組成。

12.根據權利要求9所述的方法，其中所述導電材料完全填充所述空腔和所述字線層空隙。

13.根據權利要求9所述的方法，其包括在所述形成所述導電材料后，相對于所述導電材料選擇性地去除所述第二和第四材料。