[發(fā)明專利]在硬陶瓷涂層中制造納米脊的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980071950.4
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN112969966A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M·A·阿克巴斯;T·尤特迪杰克;C·J·馬松;M·利普森;D·H·彼得森;M·佩里;P·赫爾馬斯;J·J·董;D·索拉比巴巴黑德利
• 申請（專利權(quán)）人: ASML控股股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01L21/687
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

一種用于在光刻工藝中使用的減少物體對表面的粘附的方法，該方法包括在控制計(jì)算機(jī)處接收用于被配置為對表面修改的工具的指令，以及基于在控制計(jì)算機(jī)處接收的指令以確定的方式形成具有溝和脊的修改表面，其中，脊通過減小修改表面的接觸表面積來減少粘附。另一裝置包括修改表面，修改表面包括形成減小的接觸表面積以減少物體對修改表面的粘附的溝和脊，脊具有彈性性質(zhì)，當(dāng)多個(gè)脊彈性變形時(shí)，彈性性質(zhì)導(dǎo)致減小的接觸表面積增加。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2018年11月5日提交的美國臨時(shí)專利申請?zhí)?2/755,786的優(yōu)先權(quán)，該申請通過引用將其全部并入本文。

背景技術(shù)

光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，圖案化設(shè)備(例如，掩模)可以包含或提供對應(yīng)于IC的單個(gè)層的圖案(“設(shè)計(jì)布局”)，并且該圖案可以由諸如通過圖案化設(shè)備上的圖案照射目標(biāo)部分的方法，轉(zhuǎn)移到已經(jīng)涂覆有輻射敏感材料層(“抗蝕劑”)的襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，單個(gè)襯底包含多個(gè)相鄰的目標(biāo)部分，圖案被光刻投影裝置一次一個(gè)目標(biāo)部分地依次轉(zhuǎn)移到這些目標(biāo)部分。在一種類型的光刻投影裝置中，將整個(gè)圖案化設(shè)備上的圖案一次轉(zhuǎn)移到一個(gè)目標(biāo)部分上；這種裝置也可以稱為步進(jìn)器。在可選裝置中，步進(jìn)掃描裝置可以使投影光束在給定參考方向(“掃描”方向)上掃描圖案化設(shè)備，同時(shí)平行或反平行于該參考方向同步移動(dòng)襯底。圖案化設(shè)備上的圖案的不同部分被逐漸地轉(zhuǎn)移到一個(gè)目標(biāo)部分。由于通常光刻投影裝置將具有減小比M(例如4)，因此襯底移動(dòng)的速度F將是投影光束掃描圖案化設(shè)備的速度F的1/M倍。關(guān)于光刻裝置的更多信息可以在例如US 6,046,792中找到，該US 6,046,792通過引用并入本文。

在將圖案從圖案化設(shè)備轉(zhuǎn)移到襯底之前，襯底可以經(jīng)歷各種過程，例如涂底、抗蝕劑涂覆和軟烘烤。曝光后，襯底可以經(jīng)受其它過程(“曝光后過程”)，例如曝光后烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤和對轉(zhuǎn)移圖案的測量/檢查。這一系列過程被用作制作器件(例如IC)的單個(gè)層的基礎(chǔ)。然后，襯底可以經(jīng)歷各種工藝，例如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有這些都旨在完成設(shè)備的單個(gè)層。如果在器件中需要若干層，則對每一層重復(fù)整個(gè)過程或其變體。最終，器件將存在于襯底上的每個(gè)目標(biāo)部分中。然后通過諸如切割或鋸切的技術(shù)將這些器件彼此分離，從而將各個(gè)器件安裝在載體上、連接到管腳上等。

因此，制造諸如半導(dǎo)體器件的器件通常涉及使用多個(gè)制造工藝處理襯底(例如半導(dǎo)體晶片)以形成器件的各種特征和多個(gè)層。通常使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光和離子注入來制造和處理這樣的層和特征?？梢栽谝r底上的多個(gè)管芯上制造多個(gè)器件，然后將其分離成單獨(dú)的器件。這種器件制造工藝可以被認(rèn)為是圖案化工藝。圖案化工藝包括圖案化步驟，例如使用光刻裝置中的圖案化設(shè)備的光學(xué)和/或納米壓印光刻，以將圖案化設(shè)備上的圖案轉(zhuǎn)移到襯底上，并且通常，但可選地，包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的圖案化處理步驟，例如通過顯影裝置進(jìn)行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具烘烤襯底、使用蝕刻裝置使用圖案進(jìn)行蝕刻等。

如上所述，光刻是諸如IC的設(shè)備的制造中的中心步驟，其中在襯底上形成的圖案定義了諸如微處理器、存儲器芯片等的設(shè)備的功能元件。類似的光刻技術(shù)也用于平板顯示器、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和其它設(shè)備的形成。

隨著半導(dǎo)體制造工藝的不斷推進(jìn)，功能性元件的尺寸不斷減小，同時(shí)每個(gè)器件的功能性元件(例如晶體管)的數(shù)量在數(shù)十年間一直保持穩(wěn)定增長，這遵循了被稱為“摩爾定律”的趨勢。在當(dāng)前的技術(shù)水平下，使用光刻投影裝置制造設(shè)備的層，光刻投影裝置使用來自深紫外照明源的照明將設(shè)計(jì)布局投影到襯底上，從而創(chuàng)建尺寸遠(yuǎn)低于100納米的單個(gè)功能元件，即小于來自照明源(例如，193納米照明源)的輻射波長的一半。