[發(fā)明專利]半導體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980070928.8
• 申請日: 2019-04-08
• 公開（公告）號: CN113056813A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發(fā)明（設計）人: 梅田宗一郎;久徳淳志
• 申請（專利權）人: 新電元工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

基板，其表面形成有具有電極部的布線圖案；

芯片，配置在所述基板上，并且在與所述基板側相反一側的面上形成有表面電極；以及

引線，其具有：配置在所述表面電極上并經由導電性接合材料與所述芯片的所述表面電極電連接的第一電極連接部、與所述布線圖案的所述電極部電連接的第二電極連接部、以及與所述第一電極連接部以及所述第二電極連接部連接，并且作為所述第一電極連接部與所述第二電極連接部之間的電流導通路的電流導通部，

其中，從平面上看，所述引線進一步具有：設置在所述第一電極連接部的外周中未連接所述電流導通部的部分上的，將施加于設置在所述第一電極連接部與所述表面電極之間的所述導電性接合材料上的熱收縮應力均等化的熱收縮應力均等化結構。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，從平面上看，所述熱收縮應力均等化結構具有從所述第一電極連接部向與所述電流導通部連接的一側的相反側延伸的延伸部。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述延伸部相對于所述第一電極連接部在與所述電流導通部連接的一側相對稱的位置上延伸。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述熱收縮應力均等化結構具有設置在所述引線上的位于隔著所述第一電極連接部的相對位置上的切口或孔。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，所述切口或孔設置在與所述芯片的所述表面電極相對稱的位置上。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，在從與所述芯片的外周相垂直的截面觀看時，所述導電性接合材料上的與所述引線相接觸的區(qū)域與所述表面電極的中央相對稱。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于：

其中，在從與所述芯片的外周相垂直的截面觀看時，位于所述表面電極的中央的一側的所述引線的熱阻與位于所述一側的相反側即另一側的所述引線的熱阻相等。

8.根據權利要求1至7中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，進一步包括：

引腳端子，所述引腳端子貫通所述引線，并且其一端部向外部突出，其另一端部與所述布線圖案連接。