[發明專利]阻擋膜有效
| 申請號: | 201980070390.0 | 申請日: | 2019-10-22 |
| 公開(公告)號: | CN112912539B | 公開(公告)日: | 2023-08-08 |
| 發明(設計)人: | 慎晟真;黃檣淵;丁喜俊;樸寶拉;梁熙旺 | 申請(專利權)人: | 株式會社LG化學 |
| 主分類號: | C23C18/12 | 分類號: | C23C18/12;C08J7/048;C23C18/14 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;吳娟 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 阻擋 | ||
本申請涉及阻擋膜。在本申請中,可以提供具有優異的阻擋特性和光學特性的阻擋膜。由本申請生產的阻擋膜可以用于對水分等敏感的電子產品。
技術領域
本申請要求基于于2018年10月26日提交的韓國專利申請第10-2018-0128798號的優先權的權益,其公開內容通過引用整體并入本文。
技術領域
本申請涉及阻擋膜。特別地,本申請涉及對外來物質例如氧或水分具有優異的阻擋特性的阻擋膜。
背景技術
用于阻擋外部組分例如氧和水分的阻擋膜不僅用于作為常規主要應用的食品或藥物等的包裝材料,而且還用于FPD(平板顯示器)例如LCD(液晶顯示器)或太陽能電池用構件、電子紙或OLED(有機發光二極管)用基底、或密封膜等。特別地,在用于電氣或電子元件的阻擋膜的情況下,除了對氧或水分等的高阻擋特性之外,從確保設備的性能的觀點出發,還需要即使在濕熱條件下放置之后阻擋特性也不劣化的耐濕熱性。
用于生產阻擋膜的方法可以包括例如濕法。具體地,阻擋膜可以通過將涂覆在基礎膜上的聚硅氮烷轉化為二氧化硅的方法來生產。此時,聚硅氮烷可以在經歷諸如在預定條件下加熱或水解的過程的同時轉化為二氧化硅。例如,日本專利特許公開第H10-194873號公開了將全氫聚硅氮烷或其改性產物施加至基礎膜并將其在真空下燒制的方法。
發明內容
技術問題
本申請的一個目的是提供對外來物質例如氧或水分具有優異的阻擋特性的阻擋膜。
本申請的另一個目的是提供包括所述阻擋膜的包裝材料、設備或裝置。
本申請的以上目的和其他目的都可以通過以下詳細描述的本申請來解決。
技術方案
在本申請的一個實例中,本申請涉及阻擋膜。在本申請中,阻擋膜意指滿足預期的透光率和阻擋特性的膜。
關于透光率,阻擋膜可以意指對380nm至780nm的波長范圍內的可見光,具體地,波長為550nm的光的透射率為90%或更大、或者95%或更大的膜。透射率的上限為例如約100%,其中膜的透射率可以小于100%。
關于阻擋特性,阻擋膜可以具有良好的水蒸氣透過率。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應產物的化學鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預處理





