[發(fā)明專利]阻擋膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980070390.0
• 申請日: 2019-10-22
• 公開（公告）號: CN112912539B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設計）人: 慎晟真;黃檣淵;丁喜俊;樸寶拉;梁熙旺
• 申請（專利權）人: 株式會社LG化學
• 主分類號: C23C18/12
• 分類號: C23C18/12;C08J7/048;C23C18/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 梁笑;吳娟

1.一種阻擋膜，包括：基礎層；和無機層，所述無機層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域并且對于用于以0.09nm/秒的速率蝕刻Ta₂O₅的Ar離子蝕刻條件具有0.17nm/秒或更小的在厚度方向上的蝕刻速率，所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域具有彼此不同的通過XPS測量的Si、N和O的以原子％計的元素含量，

其中所述第二區(qū)域具有比所述第一區(qū)域的N的元素含量更高的N的元素含量，

所述第二區(qū)域具有相對于所述無機層的總厚度的10％或更大的厚度；

其中在38℃的溫度和100％的相對濕度下測量的水蒸氣透過率為10×10^-4g/m²·天或更小；以及

其中所述第一區(qū)域比所述第二區(qū)域更靠近所述基礎層，

其中所述第一區(qū)域滿足O含量Si含量N含量，

其中所述第一區(qū)域的所述O含量在50原子％至65原子％的范圍內，所述Si含量在35原子％至45原子％的范圍內，以及所述N含量在1原子％至15原子％的范圍內，在所述第一區(qū)域中的O，Si和N的含量總計為100原子％；

其中所述第二區(qū)域滿足Si含量N含量O含量，以及

其中所述第二區(qū)域的所述Si含量在45原子％至60原子％的范圍內，所述N含量在20原子％至35原子％的范圍內，以及所述O含量在10原子％至30原子％的范圍內。

2.根據(jù)權利要求1所述的阻擋膜，其中所述第一區(qū)域的所述O含量a與所述Si含量b的比率a/b在1.1至1.9的范圍內。

3.根據(jù)權利要求1所述的阻擋膜，其中所述第二區(qū)域中的Si含量的最大值與所述第一區(qū)域中的O含量的最大值之差為15原子％或更小。

4.根據(jù)權利要求1所述的阻擋膜，其中所述無機層通過對具有下式1的單元的聚硅氮烷進行等離子體處理而獲得：

[式1]

其中，R¹、R²和R³各自獨立地為氫原子、烷基、烯基、炔基、芳基、烷基甲硅烷基、烷基氨基或烷氧基。

5.一種電氣或電子元件，包括根據(jù)權利要求1所述的阻擋膜。