[發明專利]半導體裝置制造方法

在審

• 申請號: 201980070334.7
• 申請日: 2019-10-18
• 公開（公告）號: CN112912993A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 辻直子
• 申請（專利權）人: 株式會社大賽璐
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/02;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 楊薇

1.一種半導體裝置制造方法，該方法包括：

準備具有層疊結構的加強晶片的工序，所述層疊結構包含具有元件形成面及與其相反的背面的晶片、支撐基板、以及在所述晶片的所述元件形成面側與所述支撐基板之間的臨時粘接劑層；

對所述加強晶片中的所述晶片從其背面側進行磨削而形成薄化晶片的工序；

接合工序，經由粘接劑將具有元件形成面及與其相反的背面的基礎晶片的所述元件形成面側、與所述加強晶片的所述薄化晶片的背面側接合；以及

移除工序，將所述加強晶片中的所述支撐基板與所述薄化晶片之間的所述臨時粘接劑層所形成的臨時粘接狀態解除，進行所述支撐基板的移除，

其中，

用于形成所述臨時粘接劑層的臨時粘接劑含有：多元乙烯基醚化合物、具有兩個以上能夠與多元乙烯基醚化合物的乙烯基醚基反應而形成縮醛鍵的羥基或羧基從而能夠與所述多元乙烯基醚化合物形成聚合物的化合物、以及熱塑性樹脂，

所述粘接劑包含含有聚合性基團的聚有機倍半硅氧烷。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置制造方法，其中，

所述接合工序包括在低于所述聚合物的軟化點的溫度下使所述粘接劑固化的固化處理，

所述移除工序包括在高于所述聚合物的軟化點的溫度下使所述臨時粘接劑層軟化的軟化處理。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置制造方法，該方法進一步包括：

準備具有層疊結構的至少一個追加的加強晶片的工序，所述層疊結構包含具有元件形成面及與其相反的背面的晶片、支撐基板、以及在所述晶片的所述元件形成面側與所述支撐基板之間的由所述臨時粘接劑形成的臨時粘接劑層；

對各追加的加強晶片中的所述晶片從其背面側進行磨削而形成薄化晶片的工序；

經由所述粘接劑將所述追加的加強晶片中的所述薄化晶片的背面側接合于所述基礎晶片上的薄化晶片的元件形成面側的至少一個追加的接合工序；以及

對每個所述追加的接合工序進行的至少一個移除工序，在所述移除工序中，將所述追加的加強晶片中的所述支撐基板與所述薄化晶片之間的所述臨時粘接劑層所形成的臨時粘接狀態解除，進行所述支撐基板的移除。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置制造方法，其中，

所述追加的接合工序包括在低于所述聚合物的軟化點的溫度下使所述粘接劑固化的固化處理，

對每個所述追加的接合工序進行的所述移除工序包括在高于所述聚合物的軟化點的溫度下使所述臨時粘接劑層軟化的軟化處理。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置制造方法，該方法進一步包括：

形成貫通電極的工序，所述貫通電極從經過所述移除工序得到的晶片層疊體中位于層疊方向的一端的薄化晶片的元件形成面至位于另一端的基礎晶片的元件形成面，貫穿著該晶片層疊體內而延伸。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置制造方法，該方法進一步包括：

通過對所述基礎晶片的所述背面側進行磨削而將該基礎晶片薄化的工序。

7.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體裝置制造方法，該方法進一步包括：

形成貫通電極的工序，所述貫通電極從經過所述移除工序得到的晶片層疊體中位于層疊方向的一端的薄化晶片的元件形成面至位于另一端的基礎晶片的超出元件形成面的位置，貫穿著該晶片層疊體內而延伸；以及

基礎晶片薄化工序，通過對所述基礎晶片的所述背面側進行磨削而將該基礎晶片薄化，使所述貫通電極在該背面側露出。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置制造方法，該方法進一步包括：

將一個經過所述基礎晶片薄化工序得到的晶片層疊體中位于層疊方向的一端的薄化晶片的元件形成面側、與另一個經過所述基礎晶片薄化工序得到的晶片層疊體中位于層疊方向的一端的薄化晶片的元件形成面側接合的工序。