[發明專利]涂覆的基板的等離子灰化

在審

• 申請號: 201980069982.0
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN112912251A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: R·阿斯金;S·克蘭西;J·珍妮克;B·勞倫斯
• 申請（專利權）人: HZO股份有限公司
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/16
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 任曼怡;黃嵩泉

1.一種用于對基板上的涂層進行等離子體蝕刻/灰化的系統，所述系統包括：

包括第一電極的等離子體室；

第二電極，其中所述第一電極和所述第二電極被配置成用于在所述等離子體室內引發并維持等離子體；

耦合至所述等離子體室的等離子體源，所述等離子體源包括氣體；

包括涂層的基板；以及

包括至少一個孔的等離子體掩模，所述等離子體掩模被配置成用于覆蓋所述基板同時通過所述至少一個孔暴露所述基板和所述涂層的選定表面。

2.根據權利要求1所述的系統，其中，所述涂層是聚對二甲苯涂層，并且其中，所述系統進一步包括耦合至所述第一電極和所述第二電極的電源。

3.根據權利要求1所述的系統，進一步包括耦合至所述等離子體室的冷卻機制。

4.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體掩模包括熱界面材料。

5.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體掩模在所述至少一個孔處包括斜面。

6.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體掩模機械地耦合至所述基板。

7.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一者包括至少一個冷卻通道。

8.根據權利要求1所述的系統，其中，所述第一電極和所述第二電極中的至少一者包括多個冷卻通道。

9.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體掩模是所述第一電極或所述第二電極。

10.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體在雙極電極之間被引發并維持。

11.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體在三極電極之間被引發并維持。

12.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體掩模包括冷卻通道。

13.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體室進一步包括真空。

14.根據權利要求1所述的系統，其中，所述等離子體室的壁是所述第二電極。

15.根據權利要求1所述的系統，其中，保持所述基板的托盤是所述第一電極。

16.根據權利要求1所述的系統，其中，所述至少一個孔具有與所述基板上的相對應組件不同的縱橫比。

17.一種用于對基板上的涂層進行等離子體蝕刻/灰化的系統，所述系統包括：

包括第一電極的等離子體室，所述等離子體室進一步包括真空；

第二電極，其中所述第一電極和所述第二電極被配置成用于在所述等離子體室內引發并維持等離子體；

耦合至所述等離子體室的等離子體源，所述等離子體源包括氣體；

包括涂層的基板，其中，所述涂層是聚對二甲苯；以及

包括至少一個孔的等離子體掩模，所述等離子體掩模被配置成用于覆蓋所述基板同時通過所述至少一個孔暴露所述基板的選定表面，其中所述等離子體掩模包括界面材料，其中所述等離子體掩模機械地耦合至所述基板。

18.一種方法，包括：

將至少一個基板提供在等離子體室中，所述基板包括涂層；

將等離子體掩模耦合至所述基板，所述等離子體掩模包括至少一個孔；

在所述等離子體室內在第一電極與第二電極之間產生等離子體；以及

利用所產生的等離子體在所述至少一個孔處對所述涂層進行蝕刻或灰化。