[發明專利]使用半導體發光器件的顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201980069671.4 | 申請日: | 2019-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN112889155A | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 金政勛;趙炳權 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 付永莉;鄭特強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 使用 半導體 發光 器件 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法,更具體地,涉及一種使用半導體發光器件的顯示裝置。本公開的一個目的是提供一種用于減小在制造包括半導體發光器件的顯示裝置中的工藝誤差的制造方法和結構。
技術領域
本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法,更具體地,涉及一種使用半導體發光器件的顯示裝置。
背景技術
近年來,液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)顯示器和微型LED顯示器在顯示技術領域中一直在爭相實現大面積顯示器。
然而,在LCD的情況下存在諸如響應時間慢、由背光產生的光的效率低的問題,在OLED的情況下存在諸如使用壽命短、產量(yeild,成品率)減小以及效率低的缺點。
相反,當在顯示器中使用直徑或橫截面區域為100微米或更小的半導體發光器件(微型LED(μLED))時,因為顯示器使用了偏振板等而不吸收光,所以顯示器可以提供非常高的效率。然而,由于大尺寸顯示器需要數百萬個半導體發光器件,所以與其他技術相比,在轉移這些器件方面有困難。
當前正在開發的用于轉移工藝(process)的技術包括拾取和放置(pickplace)、激光剝離(LLO,laser lift-off)、自組裝等。在這些技術之中,自組裝方法是用來實現大尺寸顯示裝置的最有利方法,所述自組裝方法是半導體發光器件自身定位在流體中的方法。
近年來,第9,825,202號美國專利提出了一種適合于自組裝的微型LED結構,但是還沒有針對通過微型LED的自組裝來制造顯示器的技術的研究。因此,本公開提出了一種新型的可以自組裝微型LED的顯示裝置及其制造方法。
發明內容
技術問題
本公開的一個目的是提供一種用于減小在制造包括半導體發光器件的顯示裝置中的工藝誤差的制造方法和結構。
本公開的另一目的是提供一種用于減少在制造包括半導體發光器件的顯示裝置中所需的工藝數量的制造方法和結構。
技術方案
本公開可以提供一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:基底;半導體發光器件,具有設置在基底上且環狀地(annularly)形成在半導體發光器件的上邊緣上的第一導電電極、以及形成在半導體發光器件的上中心部分上且被第一導電電極圍繞的第二導電電極;鈍化層,形成為覆蓋半導體發光器件的上表面的一部分;第一布線電極(wiring electrode),電連接到第一導電電極;以及第二布線電極,從半導體發光器件的上邊緣延伸到半導體發光器件的上中心部分,并且電連接到第二導電電極,其中,第二布線電極的一部分與第一導電電極的一部分重疊(overlap)而鈍化層置于二者之間。
根據一實施例,鈍化層可以從半導體發光器件的側表面沿半導體發光器件的寬度方向延伸,并且可以形成為覆蓋第一導電電極的部分和第二導電電極的部分。
根據一實施例,鈍化層可以形成為覆蓋半導體發光器件的上表面的除了第一導電電極和第二導電電極的連接到第一布線電極和第二布線電極的部分之外的其余部分。
根據一實施例,半導體發光器件可以相對于其寬度方向(widthwise)中心線對稱地形成。
根據一實施例,第一導電電極和第二導電電極可以相對于半導體發光器件的厚度方向設置有高度差。
根據一實施例,半導體發光器件可以包括:第一導電半導體層,設置在第一導電電極下方;第二導電半導體層,設置在第二導電電極下方;以及有源層,形成在第一導電半導體層與第二導電半導體層之間。
根據一實施例,有源層可以形成為與設置在半導體發光器件的中心部分處的第二導電電極重疊。
根據一實施例,有源層可以以環形形狀形成為與第一導電電極重疊。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于LG電子株式會社,未經LG電子株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980069671.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





