[發明專利]使用半導體發光器件的顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201980069671.4
• 申請日: 2019-10-08
• 公開（公告）號: CN112889155A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 金政勛;趙炳權
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/24;H01L33/00
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 付永莉;鄭特強

1.一種顯示裝置，包括：

基底；

半導體發光器件，具有設置在所述基底上且環狀地形成在所述半導體發光器件的上邊緣上的第一導電電極、以及形成在所述半導體發光器件的上中心部分上且被所述第一導電電極圍繞的第二導電電極；

鈍化層，形成為覆蓋所述半導體發光器件的上表面的一部分；

第一布線電極，電連接到所述第一導電電極；以及

第二布線電極，從所述半導體發光器件的所述上邊緣延伸到所述半導體發光器件的所述上中心部分，并且電連接到所述第二導電電極，

其中，所述第二布線電極的一部分與所述第一導電電極的一部分重疊且所述鈍化層置于兩者之間。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述鈍化層從所述半導體發光器件的側表面沿所述半導體發光器件的寬度方向延伸，并且形成為覆蓋所述第一導電電極的一部分和所述第二導電電極的一部分。

3.根據權利要求2所述的顯示裝置，其中，所述鈍化層形成為覆蓋所述半導體發光器件的所述上表面的除了連接到所述第一布線電極的所述第一導電電極的其余部分和連接到所述第二布線電極的所述第二導電電極的其余部分之外的其余部分。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體發光器件相對于所述半導體發光器件的寬度方向中心線對稱地形成。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一導電電極和所述第二導電電極相對于所述半導體發光器件的厚度方向設置有高度差。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第一導電電極的高度大于所述第二導電電極的高度。

7.根據權利要求5所述的顯示裝置，其中，所述第二導電電極的高度大于所述第一導電電極的高度。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體發光器件還包括：

第一導電半導體層，設置在所述第一導電電極下方；

第二導電半導體層，設置在所述第二導電電極下方；以及

有源層，形成在所述第一導電半導體層與所述第二導電半導體層之間。

9.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，所述有源層形成為與設置在所述半導體發光器件的上中心部分處的所述第二導電電極重疊。

10.根據權利要求8所述的顯示裝置，其中，所述有源層以環形形狀形成為與所述第一導電電極重疊。

11.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一布線電極和所述第二布線電極彼此垂直地形成。

12.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述半導體發光器件的形狀為三角形、矩形和圓形中的一種。

13.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一導電電極的形狀不同于所述第二導電電極的形狀。

14.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述鈍化層的厚度不同于所述第一布線電極的厚度和所述第二布線電極的厚度。

15.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中，所述鈍化層還形成為覆蓋所述半導體發光器件的側表面。