[發明專利]用于對準多束檢查裝置中的電子束的系統和方法

在審

• 申請號: 201980068721.7
• 申請日: 2019-09-20
• 公開（公告）號: CN112889127A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 胡學讓;羅希楠;席慶坡;劉學東;任偉明
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H01J37/28
• 分類號: H01J37/28;H01J37/317
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭振

公開了一種改進的帶電粒子束檢查裝置，并且更具體地，公開了一種包括改進的對準機制的粒子束檢查裝置。一種改進的帶電粒子束檢查裝置可以包括第二電子檢測器件，該第二電子檢測器件用以在該對準模式期間生成多個次級電子束中的一個或多個束斑點的一個或多個圖像。該束斑點圖像可以被用來確定該多個次級電子束中的一個或多個次級電子束的對準特性，并且調節次級電子投影系統的配置。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年10月19日提交的美國申請62/748,251的優先權，并且上述申請通過引用全文結合于此。

技術領域

本文所提供的實施例公開了一種粒子束檢查裝置，并且更具體地，提供了一種包括有所改進的對準機制的粒子束檢查裝置。

背景技術

在制造半導體集成電路(IC)芯片時，圖案缺陷或不請自來的顆粒(殘渣)在制造過程期間不可避免地出現在晶片或掩膜上，由此降低產量。例如，對于為了滿足IC芯片日益更加先進的性能要求而已經被采用的具有較小關鍵特征尺寸的圖案而言，不請自來的顆粒可能成為麻煩。

具有帶電粒子束的圖案檢查工具已經被用來檢測該缺陷或不請自來的顆粒。這些工具通常采用掃描電子顯微鏡(SEM)。在SEM中，具有相對高的能量的初級電子的束被減速而以相對低的著陸能量著陸在樣本上，并且被聚焦從而在其上形成探測斑點(spot)。由于初級電子的該聚焦探測斑點，將從該表面生成次級電子。該次級電子可以包括由于初級電子與樣本的交互而產生的反向散射電子、次級電子或俄歇(Auger)電子。通過掃描樣本表面上的探測斑點并且收集次級電子，圖案檢查工具可以獲得該樣本表面的圖像。

發明內容

本文所提供的實施例公開了一種粒子束檢查裝置，并且更具體地，提供了一種包括改進的對準機制的粒子束檢查裝置。

在一些實施例中，用于檢查晶片的帶電粒子束裝置可以包括第一電子檢測器件和第二電子檢測器件。該第一電子檢測器件可以檢測用于該晶片的檢查的多個次級電子束。該第二電子檢測器件可以生成該多個次級電子束的一個或多個束斑點的一個或多個圖像，并且可以被配置為用于確定與該第一電子檢測器件相關聯的對準特性。

在一些實施例中，提供了一種使用帶電粒子束系統檢查晶片的方法。該帶電粒子束系統可以包括次級投影系統，該次級投影系統用以將多個次級電子束投影到第一電子檢測器件的檢測表面上。該方法可以包括使用第二電子檢測器件生成該多個次級電子束的一個或多個束斑點的一個或多個圖像。該方法還可以包括基于該多個次級電子束的該一個或多個束斑點的該一個或多個圖像確定與該第一電子檢測器件相關聯的對準特性。

本發明的其它優勢將由于下文結合附圖所進行的描述而變得顯而易見，上述附圖中通過圖示和示例給出了本發明的某些實施例。

附圖說明

本公開的以上和其它方面將由于結合附圖對示例性實施例所進行的描述而變得更加顯而易見。

圖1A是依據本公開實施例的圖示了示例性帶電粒子束檢查系統的示意圖。

圖1B是依據本公開實施例的圖示了示例性粒子束工具的示意圖。

圖2是依據本公開實施例的圖示了使用電子-光轉換器的示例性電子成像器件的示意圖。

圖3A、圖3B、圖3C和圖3D是依據本公開實施例的圖示了示例性多束電子束工具的示意圖。

圖4A、圖4B、圖4C和圖4D是依據本公開實施例的圖示了示例性多束電子束工具的示意圖。

圖5A、圖5B、圖5C和圖5D是依據本公開實施例的圖示了示例性多束電子束工具的示意圖。

圖6A、圖6B和圖6C是依據本公開實施例的圖示了示例性多束電子束工具的示意圖。