[發(fā)明專利]半導(dǎo)體激光裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980064456.5
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN112805887A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田尻浩之;酒井賢司;泉和剛
• 申請（專利權(quán)）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01S5/02315
• 分類號: H01S5/02315;H01S5/0232
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光裝置(A1)，其包括：半導(dǎo)體激光芯片(2)；和支承半導(dǎo)體激光芯片(2)的基座(1)，其包含基底(11)和固定于基底(11)的引線(3A、3B、3C)。半導(dǎo)體激光裝置(A1)還具有第一金屬層(15)，其包括：覆蓋基底(11)和引線(3A、3B、3C)的第一層(151)；設(shè)置在第一層(151)與基底(11)以及引線(3A、3B、3C)之間的第二層(152)；和設(shè)置在第二層(152)與基底(11)以及引線(3A、3B、3C)之間的第三層(153)。第二層(152)的晶粒比第三層(153)的晶粒小。依據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，能夠抑制腐蝕。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光裝置。

背景技術(shù)

作為搭載在各種電子設(shè)備的光源裝置，半導(dǎo)體激光裝置被廣泛采用。專利文獻(xiàn)1公開了現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體激光裝置的一例。該文獻(xiàn)中所公開的半導(dǎo)體激光裝置包括基座、半導(dǎo)體激光芯片和罩。所述基座具有：金屬制的板狀的基底；從該基底向射出方向前方突出的塊體；和固定于基座且分別向所述射出方向后方延伸的多個(gè)引線。所述半導(dǎo)體激光芯片搭載于所述塊體。所述罩覆蓋所述塊體和所述半導(dǎo)體激光芯片，具有使來自所述半導(dǎo)體激光芯片的光通過的開口。依據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，當(dāng)經(jīng)由所述多個(gè)引線供給電力時(shí)，來自所述半導(dǎo)體激光芯片的光向所述射出方向前方射出。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2004-31900號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

但是，伴隨著上述半導(dǎo)體激光裝置的使用，存在由金屬形成的基座發(fā)生腐蝕的情況。

本發(fā)明是基于上述的問題而想出的發(fā)明，其目的在于，提供一種能夠抑制腐蝕的半導(dǎo)體激光裝置。

用于解決問題的技術(shù)方案

本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體激光裝置，其包括：半導(dǎo)體激光芯片；和支承所述半導(dǎo)體激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引線，所述半導(dǎo)體激光裝置具有第一金屬層，所述第一金屬層包括：覆蓋所述基底和所述引線的第一層；設(shè)置在所述第一層與所述基底以及所述引線之間的第二層；和設(shè)置在所述第二層與所述基底以及所述引線之間的第三層，所述第二層的晶粒比所述第三層的晶粒小。

發(fā)明效果

依據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體激光裝置，能夠抑制腐蝕。

本發(fā)明的其他的特征和優(yōu)點(diǎn)通過參照附圖在以下進(jìn)行的詳細(xì)的說明能夠更加明確。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的立體圖。

圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的平面圖。

圖3是沿著圖2的III-III線的截面圖。

圖4是沿著圖2的IV-IV線的截面圖。

圖5是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的主要部分放大截面圖。

圖6是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的主要部分放大截面圖。

圖7是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的主要部分放大截面圖。

圖8是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的第一變形例的主要部分放大截面圖。

圖9是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的第一變形例的主要部分放大截面圖。

圖10是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的第二變形例的主要部分放大截面圖。

圖11是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體激光裝置的第二變形例的主要部分放大截面圖。