[發明專利]半導體激光裝置

在審

• 申請號: 201980064456.5
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN112805887A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 田尻浩之;酒井賢司;泉和剛
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01S5/02315
• 分類號: H01S5/02315;H01S5/0232
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;徐飛躍

1.一種半導體激光裝置，其特征在于，包括：

半導體激光芯片；和

支承所述半導體激光芯片的基座，所述基座包含基底和固定于所述基底的引線，

所述半導體激光裝置具有第一金屬層，所述第一金屬層包括：覆蓋所述基底和所述引線的第一層；設置在所述第一層與所述基底以及所述引線之間的第二層；和設置在所述第二層與所述基底以及所述引線之間的第三層，

所述第二層的晶粒比所述第三層的晶粒小。

2.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第二層的厚度比所述第一層的厚度厚。

3.如權利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第二層的厚度比所述第三層的厚度薄。

4.如權利要求2或3所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一層由Au形成。

5.如權利要求4所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第二層由Pd形成。

6.如權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第三層由Ni形成。

7.如權利要求6所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一層的厚度為0.01μm～0.1μm。

8.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第二層的厚度為0.05μm～1.0μm。

9.如權利要求8所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第三層的厚度為2.0μm～5.0μm程度。

10.如權利要求1～9中任一項所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述基座包括固定于所述基底且支承所述半導體激光芯片的塊體。

11.如權利要求10所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述基底具有供所述引線插通的貫通孔。

12.如權利要求11所述的半導體激光裝置，其特征在于：

具有設置在所述基底與所述引線之間的絕緣部件。

13.如權利要求12所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一金屬層形成于避開所述基底與所述絕緣部件之間的區域。

14.如權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一金屬層形成于避開所述引線與所述絕緣部件之間的區域。

15.如權利要求12所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一金屬層包括：設置在所述引線與所述第三層之間的第四層；和設置在所述引線與所述第四層之間的第五層，

所述第四層的晶粒比所述第五層的晶粒小。

16.如權利要求15所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第四層由Pd形成，

所述第五層由Ni形成。

17.如權利要求16所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第三層與所述基底彼此接觸。

18.如權利要求17所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一層、所述第二層和所述第三層形成于避開所述基底與所述絕緣部件之間的區域。

19.如權利要求18所述的半導體激光裝置，其特征在于：

所述第一層、所述第二層和所述第三層形成于避開所述引線與所述絕緣部件之間的區域。