[發(fā)明專利]液晶化合物取向?qū)愚D(zhuǎn)印用薄膜有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980064152.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-21 |
公開(公告)號(hào): | CN112771422B | 公開(公告)日: | 2023-10-24 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 佐佐木靖;村田浩一 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東洋紡株式會(huì)社 |
主分類號(hào): | G02B5/30 | 分類號(hào): | G02B5/30;B32B7/023;B32B27/28;B29C48/08 |
代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 液晶 化合物 取向 層轉(zhuǎn)印用 薄膜 | ||
1.一種液晶化合物取向?qū)愚D(zhuǎn)印用薄膜,其特征在于,其為用于將液晶化合物取向?qū)愚D(zhuǎn)印至對(duì)象物的纖維素系薄膜,薄膜的脫模面的表面粗糙度(SRa)為1nm以上且30nm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶化合物取向?qū)愚D(zhuǎn)印用薄膜,其特征在于,薄膜的脫模面的十點(diǎn)表面粗糙度(SRz)為5nm以上且200nm以下。
3.一種液晶化合物取向?qū)愚D(zhuǎn)印用層疊體,其特征在于,其為層疊有液晶化合物取向?qū)优c薄膜的層疊體,薄膜為權(quán)利要求1或2所述的薄膜。
4.一種液晶化合物取向?qū)訉盈B偏光板的制造方法,其特征在于,包括如下工序:使偏光板與權(quán)利要求3所述的層疊體的液晶化合物取向?qū)用尜N合而形成中間層疊體的工序;和,從中間層疊體剝離薄膜的工序。
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