[發明專利]氧化鎵基板研磨用組合物

在審

• 申請號: 201980063812.1
• 申請日: 2019-09-24
• 公開（公告）號: CN112771648A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 平子佐知子;野口直人
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14;B24B37/00
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

提供：在氧化鎵基板的研磨中可實現高研磨速率與高面品質的兼顧的研磨用組合物、使用該研磨用組合物的氧化鎵基板的研磨方法及制造方法。[解決方法]根據此處公開的技術，提供一種用于氧化鎵基板的研磨的研磨用組合物。該研磨用組合物包含磨粒和水。通過使用這樣的研磨用組合物進行研磨，可以提升對氧化鎵基板的研磨速率，且可實現具有良好的面品質的氧化鎵基板。

技術領域

本發明涉及研磨用組合物，詳細而言，涉及用于氧化鎵基板的研磨的研磨用組合物。本申請基于2018年9月28日申請的日本專利申請2018-185526號及2019年3月28日申請的日本專利申請2019-062384號主張優先權，并將這些申請的全部內容并入本說明書中作為參照。

背景技術

作為光學裝置用基板、功率器件用基板等化合物半導體基板的材料，例如已知有氧化鋁(典型而言為藍寶石)、氧化硅、氧化鎵、氧化鋯等氧化物、氮化鋁、氮化硅、氮化鎵等氮化物、碳化硅等碳化物。

發明內容

發明要解決的問題

上述的化合物半導體基板之中，與由其他材料形成的基板相比，氧化鎵基板具有耐久性高、晶體生長容易等優點。然而，氧化鎵基板仍處于研究階段，特別是以基板平坦/平滑化為目的的研磨加工技術尚未確立。

因此，本發明的目的在于，提供在氧化鎵基板的研磨中可以實現高研磨速率和高面品質的兼顧的研磨用組合物。相關其他目的在于，提供使用上述研磨用組合物的氧化鎵基板的研磨方法及制造方法。

用于解決問題的方案

通過該說明書，提供氧化鎵基板的研磨中使用的研磨用組合物。該研磨用組合物包含磨粒和水。通過使用所述研磨用組合物的研磨，可以提高對氧化鎵基板的研磨速率，且可以實現良好的面品質。

此處公開的研磨用組合物優選的一個方式中，前述磨粒包含選自由二氧化硅及氧化鋁組成的組中的至少一種。通過將二氧化硅、氧化鋁用作磨粒，可以適宜地進行氧化鎵基板的研磨。

此處公開的研磨用組合物優選的一個方式中，前述磨粒的平均一次粒徑為5nm以上。利用包含具有這樣的平均一次粒徑的磨粒的研磨用組合物，易于使研磨速率提高。

此處公開的研磨用組合物優選的一個方式中，前述磨粒的平均一次粒徑為1000nm以下。通過使用包含具有這樣的平均一次粒徑的磨粒的研磨用組合物的研磨，易于得到良好的面品質。

此處公開的研磨用組合物優選的一個方式中，前述磨粒的平均二次粒徑為10nm以上。利用包含具有這樣的平均二次粒徑的磨粒的研磨用組合物，易于使研磨速率提高。

此處公開的研磨用組合物的一個優選方式中，前述磨粒的平均二次粒徑為1500nm以下。通過使用包含具有這樣的平均二次粒徑的磨粒的研磨用組合物的研磨，易于得到良好的面品質。

此處公開的研磨用組合物優選的一個方式還包含酸。該酸可以作為用于pH調節等的成分而包含在研磨用組合物中。

另外，前述酸優選包含選自由硝酸、鹽酸、氯酸及溴酸組成的組中的至少一種。通過使用包含這些酸的研磨用組合物的研磨，易于得到良好的面品質。

此處公開的研磨用組合物的一個優選方式中，研磨用組合物的pH為4.0以上且小于12.0。通過使用所述研磨用組合物的研磨，可以適宜地進行氧化鎵基板的研磨。

此處公開的研磨用組合物的一些方式中，前述酸優選包含磷酸。例如，優選包含磷酸作為前述酸且pH為0.5以上且小于8的方式。通過使用所述研磨用組合物的研磨，可以適宜地進行氧化鎵基板的研磨。