[發(fā)明專利]氧化鎵基板研磨用組合物在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980063812.1 | 申請日： | 2019-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN112771648A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 平子佐知子;野口直人 | 申請（專利權(quán)）人： | 福吉米株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14;B24B37/00 |
| 代理公司： | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化 鎵基板 研磨 組合 | ||
1.一種研磨用組合物，其是用于氧化鎵基板的研磨的研磨用組合物；其包含磨粒與水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒包含選自由氧化硅及氧化鋁組成的組中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒的平均一次粒徑為5nm以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒的平均一次粒徑為1000nm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒的平均二次粒徑為10nm以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其中，所述磨粒的平均二次粒徑為1500nm以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其還包含酸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨用組合物，其中，所述酸包含選自由硝酸、鹽酸、氯酸及溴酸組成的組中的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物，其pH為4.0以上且不足12.0。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的研磨用組合物，其中，所述酸包含磷酸。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的研磨用組合物，其pH為0.5以上且不足8。
12.一種氧化鎵基板的研磨方法，其包括：將權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物供給于研磨對象基板并對該基板進(jìn)行研磨。
13.一種氧化鎵基板的制造方法，其包括：將權(quán)利要求1～12中任一項(xiàng)所述的研磨用組合物供給于研磨對象基板并對該基板進(jìn)行研磨的研磨工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
