[發明專利]用于控制將EUV靶材料引入EUV室的裝置和方法

在審

• 申請號: 201980063225.2
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN112772000A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: D·U·H·特雷斯;S·R·E·穆什;B·A·薩姆斯;A·梅迪納·奧斯加拉;T·W·德賴森
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

一種用于控制將EUV靶材料引入EUV室的裝置和方法，其中當在EUV室中形成等離子體不需要EUV靶材料時，諸如在EUV材料的分配器最初被啟動或被調節的時段，選擇性地阻止EUV靶材料進入EUV室。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年9月26日提交的標題為“Apparatus for and Method ofControlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber”的美國申請No.62/736,651，以及于2019年9月17日提交的標題為“Apparatus for and Method ofControlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber”的美國申請No.62/901,340的優先權，這兩個申請均通過整體引用并入本文。

技術領域

本申請涉及極紫外(“EUV”)光源及其操作方法。這些光源通過從源或靶材料產生等離子體來提供EUV光。在一種應用中，EUV光可以被收集并且被用于生產半導體集成電路的光刻工藝中。

背景技術

圖案化的EUV光束可以被用于曝光涂覆有抗蝕劑的襯底(諸如硅晶片)以在襯底中產生非常小的特征。EUV光(有時也稱為軟X射線)通常被定義為波長在約5nm至約100nm范圍內的電磁輻射。對于光刻而言，感興趣的一種特定波長是13.5nm。

用于產生EUV光的方法包括但不限于將源材料轉換為具有一定化學元素的等離子體狀態，該化學元素具有在EUV范圍內的發射線。這些元素可以包括但不限于氙、鋰和錫。

在通常被稱為激光產生等離子體(“LPP”)的這樣的一種方法中，期望的等離子體可以通過利用激光束照射以液滴、流或線形式的源材料來產生。在通常被稱為放電產生等離子體(“DPP”)的另一種方法中，可以通過將具有適當發射線的源材料放置在一對電極之間并且使得在電極之間發生放電來生成所需要的等離子體。

一種用于生成液滴的技術涉及熔化諸如錫的靶材料(有時也稱為源材料)，然后在高壓下迫使靶材料通過液滴生成器中直徑相對小的孔口，諸如直徑為約0.1μm至約30μm的液滴生成器的噴嘴中的孔口，以產生流體射流。在大多數情況下，由于流體動力不穩定性(通常稱為瑞利-普拉托(Rayleigh-Plateau)不穩定性)，射流將分裂成液滴。這些液滴的速度可能會有所變化，并且可能會相互結合以聚集成更大的液滴。

頻繁停止和重新啟動液滴生成器可能會出現問題，包括噴嘴堵塞以及啟動時液滴不穩定。因此，通常，液滴生成器被配置為連續生成液滴。但是，有時液滴生成器會生成用于EUV生產的不需要的多余液滴。可能生成但不使用液滴的時間包括液滴生成器啟動或關閉的時間。此時，液滴的生成會導致錫在EUV容器壁上的沉積(“錫寫”(“tin writing”))。可能生成未使用液滴的另一時間是在液滴生成器的調節期間。在源空閑時間(即，被用于轉換靶材料的激光未對液滴進行發射)期間可能會生成液滴但不使用液滴。當不產生等離子體時(例如，在脈沖之間，在批次之間以及在晶片之間)，在源操作期間也可能生成未被使用的液滴。總之，在某些情況下，有可能不需要或不使用由液滴生成器生成的用以生成等離子體的大部分液滴。

在理想情況下，未被使用的液滴穿過容器并且降落在被稱為錫捕集器的容器中，該容器捕集液滴而不允許任何反向飛濺。但是，在液滴生成器啟動或關閉期間，液滴可能會錯過錫捕集器的入口并且飛濺到與EUV室中的光學器件(諸如收集器)靠近的壁上，從而導致收集器性能下降。同樣，在延長的操作時段之后，錫捕集器可能退化，從而允許發生明顯的反向飛濺，從而進一步導致收集器退化。因此，盡管采取了對策，但被允許以不受控制的方式進入EUV室的未被使用液滴有可能污染EUV容器和收集器的表面。因此，仍然需要緩解這個問題。

發明內容