[發(fā)明專利]用于控制將EUV靶材料引入EUV室的裝置和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980063225.2
• 申請(qǐng)日: 2019-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN112772000A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D·U·H·特雷斯;S·R·E·穆什;B·A·薩姆斯;A·梅迪納·奧斯加拉;T·W·德賴森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): H05G2/00
• 分類號(hào): H05G2/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

一種用于控制將EUV靶材料引入EUV室的裝置和方法，其中當(dāng)在EUV室中形成等離子體不需要EUV靶材料時(shí)，諸如在EUV材料的分配器最初被啟動(dòng)或被調(diào)節(jié)的時(shí)段，選擇性地阻止EUV靶材料進(jìn)入EUV室。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年9月26日提交的標(biāo)題為“Apparatus for and Method ofControlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber”的美國申請(qǐng)No.62/736,651，以及于2019年9月17日提交的標(biāo)題為“Apparatus for and Method ofControlling Introduction of EUV Target Material into an EUV Chamber”的美國申請(qǐng)No.62/901,340的優(yōu)先權(quán)，這兩個(gè)申請(qǐng)均通過整體引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及極紫外(“EUV”)光源及其操作方法。這些光源通過從源或靶材料產(chǎn)生等離子體來提供EUV光。在一種應(yīng)用中，EUV光可以被收集并且被用于生產(chǎn)半導(dǎo)體集成電路的光刻工藝中。

背景技術(shù)

圖案化的EUV光束可以被用于曝光涂覆有抗蝕劑的襯底(諸如硅晶片)以在襯底中產(chǎn)生非常小的特征。EUV光(有時(shí)也稱為軟X射線)通常被定義為波長在約5nm至約100nm范圍內(nèi)的電磁輻射。對(duì)于光刻而言，感興趣的一種特定波長是13.5nm。

用于產(chǎn)生EUV光的方法包括但不限于將源材料轉(zhuǎn)換為具有一定化學(xué)元素的等離子體狀態(tài)，該化學(xué)元素具有在EUV范圍內(nèi)的發(fā)射線。這些元素可以包括但不限于氙、鋰和錫。

在通常被稱為激光產(chǎn)生等離子體(“LPP”)的這樣的一種方法中，期望的等離子體可以通過利用激光束照射以液滴、流或線形式的源材料來產(chǎn)生。在通常被稱為放電產(chǎn)生等離子體(“DPP”)的另一種方法中，可以通過將具有適當(dāng)發(fā)射線的源材料放置在一對(duì)電極之間并且使得在電極之間發(fā)生放電來生成所需要的等離子體。

一種用于生成液滴的技術(shù)涉及熔化諸如錫的靶材料(有時(shí)也稱為源材料)，然后在高壓下迫使靶材料通過液滴生成器中直徑相對(duì)小的孔口，諸如直徑為約0.1μm至約30μm的液滴生成器的噴嘴中的孔口，以產(chǎn)生流體射流。在大多數(shù)情況下，由于流體動(dòng)力不穩(wěn)定性(通常稱為瑞利-普拉托(Rayleigh-Plateau)不穩(wěn)定性)，射流將分裂成液滴。這些液滴的速度可能會(huì)有所變化，并且可能會(huì)相互結(jié)合以聚集成更大的液滴。

頻繁停止和重新啟動(dòng)液滴生成器可能會(huì)出現(xiàn)問題，包括噴嘴堵塞以及啟動(dòng)時(shí)液滴不穩(wěn)定。因此，通常，液滴生成器被配置為連續(xù)生成液滴。但是，有時(shí)液滴生成器會(huì)生成用于EUV生產(chǎn)的不需要的多余液滴?？赡苌傻皇褂靡旱蔚臅r(shí)間包括液滴生成器啟動(dòng)或關(guān)閉的時(shí)間。此時(shí)，液滴的生成會(huì)導(dǎo)致錫在EUV容器壁上的沉積(“錫寫”(“tin writing”))?？赡苌晌词褂靡旱蔚牧硪粫r(shí)間是在液滴生成器的調(diào)節(jié)期間。在源空閑時(shí)間(即，被用于轉(zhuǎn)換靶材料的激光未對(duì)液滴進(jìn)行發(fā)射)期間可能會(huì)生成液滴但不使用液滴。當(dāng)不產(chǎn)生等離子體時(shí)(例如，在脈沖之間，在批次之間以及在晶片之間)，在源操作期間也可能生成未被使用的液滴?？傊?，在某些情況下，有可能不需要或不使用由液滴生成器生成的用以生成等離子體的大部分液滴。

在理想情況下，未被使用的液滴穿過容器并且降落在被稱為錫捕集器的容器中，該容器捕集液滴而不允許任何反向飛濺。但是，在液滴生成器啟動(dòng)或關(guān)閉期間，液滴可能會(huì)錯(cuò)過錫捕集器的入口并且飛濺到與EUV室中的光學(xué)器件(諸如收集器)靠近的壁上，從而導(dǎo)致收集器性能下降。同樣，在延長的操作時(shí)段之后，錫捕集器可能退化，從而允許發(fā)生明顯的反向飛濺，從而進(jìn)一步導(dǎo)致收集器退化。因此，盡管采取了對(duì)策，但被允許以不受控制的方式進(jìn)入EUV室的未被使用液滴有可能污染EUV容器和收集器的表面。因此，仍然需要緩解這個(gè)問題。

發(fā)明內(nèi)容