[發(fā)明專利]從圖案化過程的圖案集合確定候選圖案的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980062893.3
• 申請(qǐng)日: 2019-09-20
• 公開（公告）號(hào): CN112740110A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·維拉恩基;M·C·西蒙
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王益

本文中所描述的是一種從圖案化過程的圖案集合確定候選圖案的方法，所述方法包括：獲得(i)圖案化過程的圖案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索圖案、和(iii)包括介于所述搜索圖案的所述第一特征與所述第二特征之間的相對(duì)位置的第一搜索條件；和從所述圖案集合確定滿足與所述搜索圖案的所述第一特征和所述第二特征相關(guān)聯(lián)的所述第一搜索條件的候選圖案的第一集合。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求2018年9月24日遞交的美國(guó)申請(qǐng)62/735,377的優(yōu)先權(quán)，所述美國(guó)申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用而被合并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本文中的描述總體上涉及一種圖案化過程和一種對(duì)期望的圖案的搜索。更具體地，本文中的描述涉及一種用于確定與期望的圖案匹配的場(chǎng)圖案或襯底圖案內(nèi)的圖案的設(shè)備或方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是將期望的圖案施加至襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻設(shè)備可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在該情形下，替代地被稱作掩模或掩模版的圖案形成裝置可以用于產(chǎn)生與IC的單層對(duì)應(yīng)的電路圖案，并且這種圖案可以被成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層的襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括管芯的部分、一個(gè)管芯或若干管芯)上。通常，單個(gè)襯底將包含被連續(xù)曝光的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知光刻設(shè)備包括：所謂的步進(jìn)器，其中通過一次性將整個(gè)圖案曝光至每個(gè)目標(biāo)部分上來照射所述目標(biāo)部分；和所謂的掃描儀，其中通過在給定方向(“掃描”方向)上經(jīng)由束對(duì)圖案進(jìn)行掃描的同時(shí)平行于或反向平行于這種方向同步地掃描襯底來照射每個(gè)目標(biāo)部分。

在將電路圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)印至襯底之前，襯底可以經(jīng)歷各種工序，諸如涂底漆、抗蝕劑涂覆和軟焙烤。在曝光之后，襯底可能經(jīng)受其它過程，諸如曝光后焙烤(PEB)、顯影、硬焙烤，和轉(zhuǎn)印后的電路圖案的測(cè)量/檢查。工序的這種陣列被用作制造例如IC的裝置的單個(gè)層的基礎(chǔ)。襯底隨后可以經(jīng)歷各種過程，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學(xué)機(jī)械拋光等，所有過程都預(yù)期最終完成所述器件的單個(gè)層。如果在器件中需要若干層，則針對(duì)每個(gè)層重復(fù)整個(gè)工序或其變型。最終，在襯底上的每個(gè)目標(biāo)部分中將存在器件。隨后通過諸如切塊或鋸切之類的技術(shù)使這些器件彼此分離，由此可以將單獨(dú)的器件安裝在載體上、連接至針腳，等等。

因而，制造諸如半導(dǎo)體器件之類的器件通常涉及使用一定數(shù)目的制作過程來處理襯底(例如，半導(dǎo)體晶片)以形成器件的各種特征和多個(gè)層。通常使用例如沉積、光刻、蝕刻、化學(xué)機(jī)械拋光和離子植入來制造和處理這些層和特征。可以在襯底上的多個(gè)管芯上制作多個(gè)器件，并且隨后將所述器件分離成單獨(dú)的器件。這種器件制造過程可以被視為圖案化過程。圖案化過程涉及使用光刻設(shè)備中的圖案形成裝置進(jìn)行圖案化步驟，諸如光學(xué)光刻和/或納米壓印光刻，以將圖案形成裝置上的圖案轉(zhuǎn)印至襯底，并且圖案化過程通常但可選地涉及一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)的圖案處理步驟，諸如通過顯影設(shè)備進(jìn)行抗蝕劑顯影、使用焙烤工具來焙烤襯底、使用蝕刻設(shè)備來蝕刻圖案，等等。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實(shí)施例，提供一種從圖案化過程的圖案集合確定候選圖案的方法，所述方法包括以下步驟用于：獲得(i)圖案化過程的圖案集合、(ii)具有第一特征和第二特征的搜索圖案、和(iii)包括介于所述搜索圖案的所述第一特征與所述第二特征之間的相對(duì)位置的第一搜索條件；和經(jīng)由處理器從所述圖案集合確定滿足與所述搜索圖案的所述第一特征和所述第二特征相關(guān)聯(lián)的所述第一搜索條件的候選圖案的第一集合。在實(shí)施例中，所述第二特征與所述第一特征相鄰。

在實(shí)施例中，所述相對(duì)位置被限定在所述搜索圖案的所述第一特征的元件與所述第二特征的元件之間。

在實(shí)施例中，所述元件包括相應(yīng)特征的邊緣和/或頂點(diǎn)。

在實(shí)施例中，所述第一搜索條件還包括與所述特征的元件之間的相對(duì)位置和/或所述特征的尺寸相關(guān)聯(lián)的公差極限。

在實(shí)施例中，所述第一特征和所述第二特征位于相同層上。

在實(shí)施例中，所述第一特征和所述第二特征位于不同層上。