[發(fā)明專利]光纖的熔接方法、光纖以及熔接裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980062816.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-06-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112823302A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小西大介;村上政直;時(shí)田茂樹;上原日和;合谷賢治 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星鉆石工業(yè)股份有限公司;國(guó)立大學(xué)法人大阪大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B6/255 | 分類號(hào): | G02B6/255;G02B6/02 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;楊俊波 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光纖 熔接 方法 以及 裝置 | ||
提高將具有不同的熔點(diǎn)的兩個(gè)光纖熔接連接而形成的光纖的強(qiáng)度。光纖的熔接方法具有如下的步驟:配置第1光纖(2)和第2光纖(3),該第1光纖(2)具有第1直徑(d1)并具有第1熔點(diǎn),該第2光纖(3)具有比第1直徑(d1)小的第2直徑(d2)并具有比第1熔點(diǎn)高的第2熔點(diǎn);至少將第1光纖(2)的前端加熱到使第1光纖(2)軟化的第1溫度以上且比第1光纖(2)結(jié)晶化的第2溫度小的溫度;在對(duì)第1光纖(2)的前端進(jìn)行了加熱的狀態(tài)下,使第2光纖(3)向接近第1光纖的第1方向移動(dòng),使第2光纖(3)的前端插入到第1光纖(2);以及在將第2光纖(3)的前端插入到第1光纖(2)之后,使第2光纖(3)向與第1方向相反的第2方向移動(dòng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及將由熔點(diǎn)不同的材料構(gòu)成的兩個(gè)光纖在其前端熔接的熔接方法以及使用該方法將由不同的材料構(gòu)成的兩條光纖熔接而制造的光纖。
背景技術(shù)
在由光纖構(gòu)成光學(xué)電路等光學(xué)系統(tǒng)的情況下,需要在前端連接由不同的材料構(gòu)成的光纖。光纖的連接一般通過熔接來進(jìn)行。
光纖根據(jù)其材料而具有不同的物理特性。例如,在一般的光纖中使用的石英的熔點(diǎn)比石英以外的材料(例如氟化物玻璃)的熔點(diǎn)高。
作為連接這樣的熔點(diǎn)互不相同的不同種類材料的光纖的方法,公知有如下的方法:使具有高熔點(diǎn)的光纖的直徑比低熔點(diǎn)的光纖的直徑小,對(duì)具有高熔點(diǎn)的光纖進(jìn)行加熱并推壓在低熔點(diǎn)的光纖上,從而使這兩個(gè)光纖熔接(例如參照專利文獻(xiàn)1)。
在該熔接方法中,利用加熱了高熔點(diǎn)的光纖后的熱使低熔點(diǎn)的光纖軟化,在將高熔點(diǎn)的光纖的前端插入到低熔點(diǎn)的光纖前端內(nèi)部的狀態(tài)下進(jìn)行熔接,從而提高熔接部分的強(qiáng)度。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2003-156652號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
但是,通過上述熔接方法熔接的光纖的熔接強(qiáng)度為80kPa左右,不足以使用該光纖來構(gòu)成光學(xué)系統(tǒng)。這是因?yàn)椋谠摮潭鹊娜劢訌?qiáng)度下,在操作處理光纖時(shí),光纖的熔接被解除的可能性較大。
另外,認(rèn)為通過上述熔接方法熔接的光纖容易因彎曲等而損傷。
具體而言,在通過上述熔接方法熔接的光纖中,在連接部分形成有直徑急劇變化的臺(tái)階部分。例如,當(dāng)使具有這樣的臺(tái)階部分的光纖彎曲時(shí),應(yīng)力集中于該臺(tái)階部分,可能會(huì)損傷臺(tái)階部分或其附近的光纖。
本發(fā)明的目的在于,提高將具有不同的熔點(diǎn)的兩個(gè)光纖熔接連接而形成的光纖的強(qiáng)度。
用于解決課題的手段
以下,作為用于解決課題的手段,對(duì)多個(gè)方式進(jìn)行說明。這些方式能夠根據(jù)需要而任意地組合。
本發(fā)明的一個(gè)方式的光纖的熔接方法是對(duì)具有第1熔點(diǎn)的第1光纖和具有比第1熔點(diǎn)高的第2熔點(diǎn)的第2光纖進(jìn)行熔接的方法。熔接方法具有以下的步驟。
◎配置具有第1直徑的第1光纖和具有比第1直徑小的第2直徑的第2光纖。
◎至少將第1光纖的前端加熱到使第1光纖軟化的第1溫度以上且比第1光纖結(jié)晶化的第2溫度小的溫度。
◎在對(duì)第1光纖的至少前端進(jìn)行了加熱的狀態(tài)下,使第2光纖向接近第1光纖的第1方向移動(dòng),使第2光纖的前端插入到第1光纖。
◎在將第2光纖的前端插入到第1光纖之后,使第2光纖向與第1方向相反的第2方向移動(dòng)。
在上述光纖的熔接方法中,在使第1光纖軟化并將第2光纖的前端插入到第1光纖之后,進(jìn)一步使第2光纖向與將第2光纖的前端插入到第1光纖的第1方向相反的第2方向移動(dòng)。即,使第2光纖向遠(yuǎn)離第1光纖的方向移動(dòng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三星鉆石工業(yè)股份有限公司;國(guó)立大學(xué)法人大阪大學(xué),未經(jīng)三星鉆石工業(yè)股份有限公司;國(guó)立大學(xué)法人大阪大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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