[發(fā)明專利]光纖的熔接方法、光纖以及熔接裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980062816.8
• 申請日: 2019-06-27
• 公開（公告）號: CN112823302A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小西大介;村上政直;時田茂樹;上原日和;合谷賢治
• 申請（專利權(quán)）人: 三星鉆石工業(yè)股份有限公司;國立大學法人大阪大學
• 主分類號: G02B6/255
• 分類號: G02B6/255;G02B6/02
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于靖帥;楊俊波

1.一種熔接方法，對具有第1熔點的第1光纖和具有比所述第1熔點高的第2熔點的第2光纖進行熔接，其中，

該熔接方法具有如下的步驟：

配置具有第1直徑的所述第1光纖和具有比所述第1直徑小的第2直徑的所述第2光纖；

至少將所述第1光纖的前端加熱到使所述第1光纖軟化的第1溫度以上且比所述第1光纖結(jié)晶化的第2溫度小的溫度；

在對所述第1光纖的至少前端進行了加熱的狀態(tài)下，使所述第2光纖向接近所述第1光纖的第1方向移動，使所述第2光纖的前端插入到所述第1光纖；以及

在將所述第2光纖的前端插入到所述第1光纖之后，使所述第2光纖向與所述第1方向相反的第2方向移動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熔接方法，其中，

該熔接方法還具有如下的步驟：在使所述第2光纖向所述第2方向移動之后，使所述第1光纖和所述第2光纖逐漸冷卻。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熔接方法，其中，

在將所述第2光纖的前端插入到所述第1光纖的步驟中，所述第2光纖的前端向所述第1光纖的插入距離是所述第2直徑的20％～40％的范圍的距離。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任意一項所述的熔接方法，其中，

在使所述第2光纖向所述第2方向移動的步驟中，所述第2光纖的移動距離是所述第2直徑的50％～70％的范圍的距離。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項所述的熔接方法，其中，

在配置所述第1光纖和所述第2光纖的步驟中，使所述第1光纖的前端和所述第2光纖的前端接近地配置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的熔接方法，其中，

所述第1直徑處于所述第2直徑的1.5倍至3倍的范圍。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項所述的熔接方法，其中，

所述第1溫度是所述第1光纖的軟化點。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任意一項所述的熔接方法，其中，

所述第2溫度是所述第1光纖的結(jié)晶化溫度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任意一項所述的熔接方法，其中，

所述第1光纖是氟化物光纖。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任意一項所述的熔接方法，其中，

所述第2光纖是石英制的光纖。

11.一種光纖，其具有：

第1光纖，其具有直徑從第1直徑起朝向前端減小的錐部分；以及

第2光纖，其具有比所述第1直徑小的第2直徑，在所述第2光纖的前端插入到所述錐部分的前端的狀態(tài)下與所述第1光纖連接。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的光纖，其中，

所述第2光纖的前端向所述錐部分的插入深度處于所述第2直徑的4％～16％的范圍。

13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的光纖，其中，

所述錐部分的側(cè)面與所述第1光纖的長度方向所成的錐角度處于20度～50度的范圍。

14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中的任意一項所述的光纖，其中，

所述第1直徑處于所述第2直徑的1.5倍至3倍的范圍。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光纖，其中，

所述第1直徑是所述第2直徑的2倍，并且所述錐部分的側(cè)面與所述第1光纖的長度方向所成的錐角度處于22度～30度的范圍。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光纖，其中，

所述第1直徑是所述第2直徑的3倍，并且所述錐部分的側(cè)面與所述第1光纖的長度方向所成的錐角度處于35度～50度的范圍。