[發明專利]襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質在審
| 申請號: | 201980061353.3 | 申請日: | 2019-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN112740393A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 岡崎太洋;高橋哲 | 申請(專利權)人: | 株式會社國際電氣 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;B25J13/00;H01L21/26 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;李文嶼 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 裝置 半導體器件 制造 方法 以及 記錄 介質 | ||
襯底處理裝置的控制部對第1襯底搬送臂進行控制,使其執行將加載互鎖室內的襯底向襯底處理室內搬送的第1搬送處理、和將在設置于搬送室內的襯底冷卻單元載置的襯底向加載互鎖室內搬送的第3搬送處理,對第2襯底搬送臂進行控制,使其執行將襯底處理室內的襯底向襯底冷卻單元搬送并載置于襯底冷卻單元的第2搬送處理,對第1襯底搬送臂以及第2襯底搬送臂進行控制,使得在第1搬送處理和第3搬送處理中施加于襯底的加速度的最大值比第2搬送處理中施加于襯底的加速度的最大值大。
技術領域
本公開內容涉及襯底處理裝置、半導體器件的制造方法以及記錄介質。
背景技術
半導體器件的制造工序中所用的襯底處理裝置具備對晶片等襯底進行處理的處理室、和進行向該處理室內的襯底搬入以及從該處理室內的襯底搬出的搬送裝置。例如日本特開2012-82071號公報公開了搬送裝置以及該搬送裝置所具備的襯底保持用具(鉗狀件,tweezer)。
發明內容
發明所要解決的課題
利用搬送裝置的襯底搬送能力(搬送吞吐量)對具備搬送裝置的襯底處理裝置整體的襯底處理能力影響巨大,因此要求利用搬送裝置的襯底搬送能力的提高。
本公開內容提供一種提高襯底搬送裝置的襯底搬送能力、改善襯底處理裝置的處理能力的技術。
用于解決課題的手段
根據本公開內容的一個方案提供一種如下的技術:
一種襯底處理裝置,具有:
襯底搬送裝置,構成為通過分別驅動第1襯底搬送臂和第2襯底搬送臂從而搬送襯底;
搬送室,在內部配置有襯底冷卻單元以及所述襯底搬送裝置,所述襯底冷卻單元以對所述襯底進行冷卻的方式構成;
至少1個襯底處理室,以與所述搬送室相鄰的方式配置,并構成為進行對所述襯底進行加熱的處理;
加載互鎖室,以與所述搬送室相鄰的方式配置;以及
控制部,對所述襯底搬送裝置進行控制,
所述控制部構成為,
對所述第1襯底搬送臂進行控制,使其執行將所述加載互鎖室內的所述襯底向所述襯底處理室內搬送的第1搬送處理、和將載置(裝填)到所述襯底冷卻單元的所述襯底向所述加載互鎖室內搬送的第3搬送處理,
對所述第2襯底搬送臂進行控制,使其執行將所述襯底處理室內的所述襯底向所述襯底冷卻單元搬送并載置于所述襯底冷卻單元的第2搬送處理,
對所述第1襯底搬送臂以及所述第2襯底搬送臂進行控制,使得在所述第1搬送處理和所述第3搬送處理中施加于所述襯底的加速度的最大值比在所述第2搬送處理中施加于所述襯底的加速度的最大值大。
發明的效果
根據本公開內容的技術,能夠提高襯底搬送裝置的襯底搬送能力,改善襯底處理裝置的處理能力。
附圖說明
圖1是本公開內容的第1實施方式的襯底處理裝置的概略構成圖。
圖2是圖1所示的襯底處理裝置的一部分的垂直剖視圖。
圖3是圖1所示的襯底處理裝置的另一部分的垂直剖視圖。
圖4是從上方觀察本公開內容的第1實施方式的襯底冷卻單元所見的構成圖。
圖5是從側方觀察本公開內容的第1實施方式的襯底冷卻單元所見的剖視構成圖。
圖6是本公開內容的第1實施方式的襯底搬送裝置的概略構成圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





