[發明專利]薄膜形成方法

在審

• 申請號: 201980058805.2
• 申請日: 2019-09-09
• 公開（公告）號: CN112703580A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 金真雄;申承祐;柳次英;鄭愚德;柳斗烈;趙星吉;崔豪珉;吳完錫;李郡禹;金基鎬
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京紐盟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11456
• 代理人: 許玉順

根據本發明的一實施例，一種薄膜形成方法，將被處理體裝載至腔室內，將上述被處理體的溫度控制為400℃以下，并向上述腔室內供應硅源氣體和氧化氣體，以在上述被處理體表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化氣體在被供應至所述腔室內之前被加熱至超過400℃的溫度。

技術領域

本發明涉及一種薄膜形成方法，更地詳細涉及一種能夠在低溫下形成薄膜的方法。

背景技術

近年來，對于在低溫下形成的薄膜一直有需求，且在400℃以下的極低溫下形成的薄膜已在研究中。特別是，欲提供一種能夠通過其工藝相較于現有工藝改善薄膜的平均粗糙度的薄膜形成工藝。

發明內容

所要解決的課題

本發明的目的在于提供一種能夠在低溫下形成薄膜的方法。

本發明的另一目的在于提供一種能夠改善薄膜的表面粗糙度薄膜形成方法。

本發明的其它目的將通過下面的詳細說明和附圖會變得更加清楚。

課題解決方案

依照本發明的一實施例，一種薄膜形成方法，將被處理體裝載至腔室內，將上述被處理體的溫度控制為400℃以下，并向上述腔室內供應硅源氣體和氧化氣體，以在上述被處理體表面形成氧化硅膜，其特征在于，所述氧化氣體在被供應至所述腔室內之前被加熱至超過400℃的溫度。

上述氧化氣體可在被熱分解的狀態下冷卻到比上述被處理體的溫度低的溫度后，被供應到上述腔室內。

上述氧化氣體可被加熱至700-900℃。

上述氧化氣體可為N₂O或O₂，且上述氧化氣體供應至上述腔室內的流量可為3000-7000SCCM。

上述硅源氣體可為硅烷或二硅烷，且上述氧化氣體供應至上述腔室內的流量可為50-100SCCM。

上述腔室內部的壓力可為25-150托(Torr)。

上述方法可進一步包括在上述該氧化硅膜的上部(upper portion)形成上部薄膜(upper thin film)的步驟，上述上部薄膜可為摻雜有硼(B)的非晶硅薄膜(amorphoussilicon thin film)、未摻雜的非晶硅薄膜及摻雜有磷(P)的非晶硅薄膜中任一種。

在上述氧化硅膜的厚度可為

上述方法可進一步包括在形成該氧化硅膜之前形成底層膜(underlayer)，并在上述底層膜上部形成上述氧化硅膜的步驟，上述底層膜可為熱氧化膜、氮化硅膜及非晶碳膜中任一種。

依照本發明的一實施例，一種用于形成氧化硅膜的薄膜形成裝置，包括：腔室，具有與外部相阻隔的內部空間，在上述內部空間內執行工序；基座(susceptor)，被設置于上述腔室內，在該基座上放置被處理體，且具有內置的加熱器；硅源氣體供應器，用于貯存硅源氣體；氧化氣體源供應器，用于貯存氧化氣體；載體氣體供應器，用于貯存載體氣體；硅源供應線，連接于上述硅源氣體供應器以供應上述硅源氣體至上述腔室內；載體氣體供應線，連接于上述載體氣體供應器以供應該載體氣體至上述腔室內；主供應線，以連接至上述腔室的狀態連接于上述硅源供應線和上述載體氣體供應線；氧化氣體供應線，與上述主供應線連接而連接至上述氧化氣體源供應器，以向上述腔室內供應上述氧化氣體；及氧化氣體加熱器，設置于上述氧化氣體供應線上，加熱上述氧化氣體至超過400℃的溫度。

發明效果

根據本發明的一實施例，可在400℃以下溫度形成薄膜。此外，薄膜的表面粗糙度可降低至低于1.0。

附圖說明

圖1為示意性地示出根據本發明的一實施例的薄膜形成裝置的視圖。