[發明專利]薄膜形成方法

在審

• 申請號: 201980058805.2
• 申請日: 2019-09-09
• 公開（公告）號: CN112703580A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發明（設計）人: 金真雄;申承祐;柳次英;鄭愚德;柳斗烈;趙星吉;崔豪珉;吳完錫;李郡禹;金基鎬
• 申請（專利權）人: 株式會社EUGENE科技
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67
• 代理公司: 北京紐盟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11456
• 代理人: 許玉順

1.一種薄膜形成方法，將被處理體裝載至腔室內，將上述被處理體的溫度控制為400℃以下，并向上述腔室內供應硅源氣體和氧化氣體，以在上述被處理體表面形成氧化硅膜，其特征在于，

所述氧化氣體在被供應至所述腔室內之前被加熱至超過400℃的溫度而被熱分解，在被熱分解的狀態下冷卻到比上述被處理體的溫度低的溫度后，被供應到上述腔室內而形成上述氧化硅膜。

2.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化氣體被加熱至700-900℃。

3.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化氣體為N₂O或O₂，且上述氧化氣體供應至上述腔室內的流量為3000-7000SCCM。

4.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述硅源氣體為硅烷或二硅烷，且上述硅源氣體供應至上述腔室內的流量為50-100SCCM。

5.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述腔室內部的壓力為25-150托。

6.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述薄膜形成方法進一步包括在上述氧化硅膜的上部形成上部薄膜的步驟，

上述上部薄膜為摻雜有硼(B)的非晶硅薄膜、未摻雜的非晶硅薄膜及摻雜有磷(P)的非晶硅薄膜中任一種。

7.如權利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述氧化硅膜厚度為

8.如權利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，

上述薄膜形成方法進一步包括：在形成上述氧化硅膜之前形成底層膜，并在上述底層膜上部形成上述氧化硅膜的步驟；

上述底層膜為熱氧化膜、氮化硅膜及非晶碳膜中任一種。

9.一種用于形成氧化硅膜的薄膜形成裝置，其特征在于，

包括：

腔室，具有與外部相阻隔的內部空間，在上述內部空間內執行工序；

基座，被設置于上述腔室內，在該基座上放置被處理體，且具有內置的加熱器；

硅源氣體供應器，用于貯存硅源氣體；

氧化氣體源供應器，用于貯存氧化氣體；

載體氣體供應器，用于貯存載體氣體；

硅源供應線，連接于上述硅源氣體供應器以供應上述硅源氣體至上述腔室內；

載體氣體供應線，連接于上述載體氣體供應器以供應上述載體氣體至上述腔室內；

主供應線，以連接至上述腔室的狀態連接于上述硅源供應線和上述載體氣體供應線；

氧化氣體供應線，與上述主供應線連接而連接至上述氧化氣體源供應器，以向上述腔室內供應上述氧化氣體；及

氧化氣體加熱器，設置于上述氧化氣體供應線上，加熱上述氧化氣體至超過400℃的溫度以進行熱分解，

上述氧化氣體在沿著上述氧化氣體供應線及上述主供應線移動的過程中，被冷卻至比上述被處理體的溫度低的溫度后被供應到上述腔室內，以形成上樹氧化硅膜。