[發明專利]粘合片有效
| 申請號: | 201980058071.8 | 申請日: | 2019-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN112639040B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 上野周作;由藤拓三;平山高正 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | C09J7/38 | 分類號: | C09J7/38;C09J11/06;C09J11/08;C09J125/08;C09J201/00;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘合 | ||
提供一種粘合片,其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削,其磨削精度、低污染性、生產率、及固定性均優異。本發明的粘合片具備粘合劑層,該粘合劑層包含:含有基礎聚合物的粘合劑;和發泡溫度為90℃以上的發泡劑,將該粘合片的粘合面貼合于硅芯片時的剪切粘接強度在25℃的環境溫度下為1.0MPa以上、且在80℃的環境溫度下為0.2MPa以上。
技術領域
本發明涉及粘合片。
背景技術
近年來,精度良好地制造白色LED用基板、SOS(硅藍寶石,Silicon on Sapphire)等電子設備和/或智能手機和/或手表的保護玻璃等中使用的藍寶石基板、可期待作為功率半導體用基板的碳化硅基板、氮化鎵基板、氧化鎵基板、金剛石基板、作為功率半導體用的散熱電路板材料使用的氮化硅基板、氮氧化鋁基板、玻璃和/或透鏡的水晶振子等中使用的石英基板等硬且脆的陶瓷基板(以下統稱為硬脆基板)的需求變高。作為制造這樣的基板的工序的代表例,進行將基板(晶圓)的背面磨削至期望厚度的背面磨削工序,在該工序中,為了將基板固定,使用蠟或粘合片(背面磨削帶)。
上述那樣的基板(硬脆基板)為高硬度,在對高硬度的硬脆基板進行磨削時,需要邊將以金剛石等作為材質的固定磨粒或游離磨粒以高載荷擠壓到被磨削體(硬脆基板)上邊使研磨機旋轉,使該被磨削體薄型化。以往,在這樣的工序中,常使用蠟作為磨削性優異的固定材料。但是,在使用蠟時,為了在磨削后去除蠟,需要進行使用大量溶劑的清洗工序,存在污染性及生產率的問題。
作為可以解決污染性和/或生產率的問題的方法,已知利用粘合片固定被磨削體的方法,在磨削加工相對容易的硅基板(晶圓)的背面磨削工序中,實際使用的是粘合片(例如專利文獻1)。但是,在硬脆基板的背面磨削工序中,如上所述在高載荷下進行磨削,因此,在被磨削體(硬脆基板)和磨石之間會產生極大的摩擦阻力,其結果,會產生粘合片的粘合力因摩擦熱而降低、無法充分固定被磨削體(硬脆基板)的問題。另一方面,使用在高溫下下表現出強粘合性的粘合片時,存在如下的問題:重剝離化、產生殘膠、或者需要清洗被殘膠污染的被磨削體(硬脆基板)等問題。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2011-151163號公報
發明內容
本發明是為了解決上述現有的問題而做出的,其目的在于,提供一種粘合片,其可以在硬脆基板的背面磨削工序中用于硬脆基板的磨削,其磨削精度、低污染性、生產率、及固定性均優異。
本發明的粘合片為具備粘合劑層的粘合片,其中,該粘合劑層包含:含有基礎聚合物的粘合劑;和發泡溫度為90℃以上的發泡劑,將該粘合片的粘合面貼合于硅芯片時的剪切粘接強度在25℃的環境溫度下為1.0MPa以上,且在80℃的環境溫度下為0.2MPa以上。
在一個實施方式中,上述粘合劑層在25℃下的壓痕硬度H為10MPa~1GPa。
在一個實施方式中,上述粘合劑中所含的基礎聚合物為熱塑性彈性體。
在一個實施方式中,上述熱塑性彈性體為苯乙烯系彈性體。
在一個實施方式中,上述粘合劑還包含增粘樹脂。
在一個實施方式中,上述增粘樹脂的含量相對于前述基礎聚合物100重量份為20重量份~350重量份。
在一個實施方式中,上述粘合劑還包含表面活性劑。
在一個實施方式中,上述表面活性劑的含量相對于前述基礎聚合物100重量份為0.001重量份~15重量份。
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