[發(fā)明專利]粘合片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980058071.8 | 申請日: | 2019-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN112639040B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 上野周作;由藤拓三;平山高正 | 申請(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號: | C09J7/38 | 分類號: | C09J7/38;C09J11/06;C09J11/08;C09J125/08;C09J201/00;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 粘合 | ||
1.一種粘合片,其為具備粘合劑層的粘合片,
該粘合劑層包含:含有基礎(chǔ)聚合物和表面活性劑的粘合劑、和發(fā)泡溫度為90℃以上的發(fā)泡劑,該表面活性劑具有碳數(shù)為5~20的直鏈狀或支鏈狀的烷基,
將該粘合片的粘合面貼合于硅芯片時(shí)的剪切粘接強(qiáng)度在25℃的環(huán)境溫度下為1.0MPa以上,并且在80℃的環(huán)境溫度下為0.2MPa以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合片,其中,所述粘合劑層在25℃下的壓痕硬度H為10MPa~1GPa。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粘合片,其中,所述粘合劑中包含的基礎(chǔ)聚合物為熱塑性彈性體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的粘合片,其中,所述熱塑性彈性體為苯乙烯系彈性體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的粘合片,其中,所述粘合劑還包含增粘樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的粘合片,其中,所述增粘樹脂的含量相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份為20重量份~350重量份。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘合片,其中,所述表面活性劑的含量相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份為0.001重量份~15重量份。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的粘合片,其中,所述發(fā)泡劑為熱膨脹性微球。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的粘合片,其中,所述熱膨脹性微球的含量相對于所述基礎(chǔ)聚合物100重量份為20重量份~210重量份。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的粘合片,其還具備配置在所述粘合劑層的至少單側(cè)的基材。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項(xiàng)所述的粘合片,其還具備配置在所述粘合劑層的至少單側(cè)的其它粘合劑層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的粘合片,其中,所述基材配置在所述粘合劑層和所述其它粘合劑層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求1~12中任一項(xiàng)所述的粘合片,其作為半導(dǎo)體制造工序中的基板加工時(shí)的臨時(shí)固定材料使用。
14.一種基板的磨削方法,其包括:將基板載置在具備粘合劑層的粘合片的該粘合劑層上并固定之后,對該基板的與粘合劑層側(cè)處于相反側(cè)的面進(jìn)行磨削,
該粘合劑層包含:含有基礎(chǔ)聚合物和表面活性劑的粘合劑、和發(fā)泡溫度為90℃以上的發(fā)泡劑,該表面活性劑具有碳數(shù)為5~20的直鏈狀或支鏈狀的烷基,
將該粘合片的粘合面貼合于硅芯片時(shí)的剪切粘接強(qiáng)度在25℃的環(huán)境溫度下為1.0MPa以上,并且在80℃的環(huán)境溫度下為0.2MPa以上。
15.一種芯片的制造方法,其包括如下的磨削工序:將基板載置在具備粘合劑層的粘合片的該粘合劑層上并固定之后,對該基板的與粘合劑層側(cè)處于相反側(cè)的面進(jìn)行磨削,
該粘合劑層包含:含有基礎(chǔ)聚合物和表面活性劑的粘合劑、和發(fā)泡溫度為90℃以上的發(fā)泡劑,該表面活性劑具有碳數(shù)為5~20的直鏈狀或支鏈狀的烷基,
將該粘合片的粘合面貼合于硅芯片時(shí)的剪切粘接強(qiáng)度在25℃的環(huán)境溫度下為1.0MPa以上,并且在80℃的環(huán)境溫度下為0.2MPa以上。
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