[發(fā)明專利]封裝膜在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980057077.3 | 申請日: | 2019-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN112640144A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文圣男;李承民;金恩貞;睦英鳳;梁世雨;崔峻源 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社LG化學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/44 | 分類號: | H01L51/44;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 趙丹;高世豪 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 封裝 | ||
1.一種有機(jī)電子元件封裝膜,包括封裝有機(jī)電子元件的封裝層和形成在所述封裝層上的至少兩個(gè)層或更多個(gè)層的金屬層,其中根據(jù)ISO22007-2測量的水平方向熱阻為800K/W或更小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述金屬層包括形成在所述封裝層上的第一層和形成在所述第一層上并且具有與所述第一層不同的組分的第二層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述金屬層的熱導(dǎo)率為50W/m·K至800W/m·K。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述金屬層的線性膨脹系數(shù)為20ppm/℃或更小。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述第一層與所述第二層的厚度比在0.85至4.3的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述第一層的厚度在2μm至3,500μm的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述第二層的厚度在10μm至2,500μm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述兩個(gè)層或更多個(gè)層的金屬層通過壓敏粘合劑或粘合劑附接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述兩個(gè)層或更多個(gè)層的金屬層彼此直接附接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述封裝層由兩層或更多層的多層形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述封裝層由兩個(gè)或更多個(gè)層形成并且在所述封裝層的所述兩個(gè)或更多個(gè)層之間存在所述金屬層中的至少一個(gè)層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述金屬層包含金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物、金屬硼氧化物、及其組合中的任一者。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中根據(jù)ISO22007-2測量的所述水平方向熱阻為3K/W至750K/W。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述封裝層包含封裝樹脂和水分吸附劑。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述封裝樹脂包括可固化樹脂或可交聯(lián)樹脂。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述水分吸附劑包括化學(xué)反應(yīng)性吸附劑。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,其中所述封裝層密封形成在基底上的有機(jī)電子元件的整個(gè)表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電子元件封裝膜,還包括形成在所述金屬層上的保護(hù)層。
19.一種有機(jī)電子器件,包括:基底;形成在所述基底上的有機(jī)電子元件;和用于封裝所述有機(jī)電子元件的整個(gè)表面的根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝膜。
20.一種用于制造有機(jī)電子器件的方法,包括將根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝膜施加至其上形成有有機(jī)電子元件的基底以覆蓋所述有機(jī)電子元件的步驟。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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