[發明專利]含氟氣的氣體的供給方法和供給設備

有效

• 申請號: 201980056969.1
• 申請日: 2019-07-30
• 公開（公告）號: CN112639352B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 西尾勇彌
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: F17C7/00
• 分類號: F17C7/00;F16K7/16;F17C13/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王瀟悅;段承恩

1.一種含氟氣的氣體的供給方法，該供給方法從含氟氣的氣體的供給設備向消費所述含氟氣的氣體的消費設備供給所述含氟氣的氣體，

所述供給設備具備：填充有第1含氟氣的氣體的填充容器、將所述填充容器的容器閥和所述消費設備連通的配管、設在所述配管上且在調整氣壓的同時使氣體從上游側流向下游側的壓力調整器、以及與所述配管中的比所述壓力調整器靠上游側的部分連接的緩沖罐，

所述供給方法中，在將所述壓力調整器設為關閉狀態后實行封閉工序，該封閉工序為如下工序：向所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分導入第2含氟氣的氣體，使成為比所述填充容器內的氣壓低的壓力，該第2含氟氣的氣體的氟氣濃度相對于所述第1含氟氣的氣體的氟氣濃度的偏差在±10%的范圍內，

該封閉工序之后，在所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分封閉有所述第2含氟氣的氣體的狀態、并且將所述緩沖罐設為打開狀態后，從所述填充容器向所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分導入所述第1含氟氣的氣體，然后，將所述壓力調整器設為打開狀態，在通過所述壓力調整器調整壓力的同時向所述消費設備供給所述第1含氟氣的氣體，

所述封閉工序中使用的所述第2含氟氣的氣體的壓力是低于所述填充容器內的第1含氟氣的氣體的氣壓的壓力。

2.根據權利要求1所述的含氟氣的氣體的供給方法，所述第2含氟氣的氣體的壓力為所述填充容器內的氣壓的45%以上且54%以下。

3.根據權利要求1所述的含氟氣的氣體的供給方法，作為所述第2含氟氣的氣體，使用氟氣濃度與所述第1含氟氣的氣體相同的含氟氣的氣體。

4.根據權利要求1~3中任一項所述的含氟氣的氣體的供給方法，所述供給設備中使用的閘閥為隔膜閥。

5.根據權利要求1~3中任一項所述的含氟氣的氣體的供給方法，在所述封閉工序之前實行清洗處理工序，該清洗處理工序用惰性氣體置換所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分。

6.根據權利要求1~3中任一項所述的含氟氣的氣體的供給方法，作為所述壓力調整器的構成部件的閥座的材質為三氟氯乙烯樹脂。

7.根據權利要求1~3中任一項所述的含氟氣的氣體的供給方法，所述消費設備是半導體制造裝置。

8.一種含氟氣的氣體的供給設備，是向消費含氟氣的氣體的消費設備供給所述含氟氣的氣體的供給設備，具備：

填充有第1含氟氣的氣體的填充容器、將所述填充容器的容器閥與所述消費設備連通的配管、設在所述配管上且在調整氣壓的同時使氣體從上游側流向下游側的壓力調整器、與所述配管中的比所述壓力調整器靠上游側的部分連接的緩沖罐，

在將所述壓力調整器設為關閉狀態后實行封閉工序，該封閉工序為如下工序：向所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分導入第2含氟氣的氣體，使成為比所述填充容器內的氣壓低的壓力，該第2含氟氣的氣體的氟氣濃度相對于所述第1含氟氣的氣體的氟氣濃度的偏差在±10%的范圍內，并且，該封閉工序之后，在所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分封閉有所述第2含氟氣的氣體的狀態、并且將所述緩沖罐設為打開狀態后，從所述填充容器向所述配管中的所述容器閥與所述壓力調整器之間的部分導入所述第1含氟氣的氣體，然后，將所述壓力調整器設為打開狀態，在通過所述壓力調整器調整壓力的同時向所述消費設備供給所述第1含氟氣的氣體，

該緩沖罐的容積為所述填充容器的容積的0.1%以上且10%以下，

所述封閉工序中使用的所述第2含氟氣的氣體的壓力是低于所述填充容器內的第1含氟氣的氣體的氣壓的壓力。