[發(fā)明專利]使用通過靜電紡絲形成的納米結構材料的傳輸線和制造該傳輸線的方法

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• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN113168942A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發(fā)明（設計）人: 金炳南;姜敬逸
• 申請（專利權）人: 信思優(yōu)有限公司
• 主分類號: H01B7/08
• 分類號: H01B7/08;H01B7/02;H01B13/00;H01B13/06;H01B3/30
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

本發(fā)明涉及使用納米結構材料的傳輸線和制造該傳輸線的方法。該使用納米結構材料的傳輸線包括：由納米氟隆形成的第一納米氟隆層，在該第一納米氟隆層上方形成有第一涂層，并且在該第一納米氟隆層下方形成有第二涂層，第一涂層和第二涂層涂有絕緣材料；通過蝕刻形成在第一涂層上的第一導電層而形成的第一圖案；以及形成在第二涂層下方的第一接地(GND)層，其中所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。根據(jù)本發(fā)明，通過在高電壓下靜電紡絲樹脂而形成的納米結構材料被用作傳輸線的電介質，使得傳輸線的電介質具有低介電常數(shù)并且能夠在低介電常數(shù)狀態(tài)下減小損耗正切值。此外，根據(jù)本發(fā)明的使用納米結構材料的傳輸線可以用作低損耗扁平電纜，用于降低在五代移動通信網(wǎng)絡(5G Network)中使用的從3.5GHz頻帶到28GHz頻帶中超高頻信號的傳輸損耗。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年8月31日提交的韓國專利申請No.2018-0103930的優(yōu)先權和權益，其公開內容通過整體引用合并于此。

技術領域

本發(fā)明涉及一種傳輸線，更具體地，涉及一種使用通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料的傳輸線以及制造該傳輸線的方法。

背景技術

為了以小損耗傳輸或處理超高頻信號，低損耗和高性能傳輸線是必要的。通常，傳輸線處的損耗大致分為由金屬引起的導體損耗和由電介質引起的介電損耗。特別地，當電介質的介電常數(shù)較高時，由電介質引起的損耗增加，并且當電阻較大時，功率損耗增加。

因此，為了制造用于傳輸超高頻信號的低損耗和高性能傳輸線，必須使用具有低介電常數(shù)和小損耗正切值的材料。特別地，為了有效地發(fā)送具有在五代(5G)移動通信網(wǎng)絡中使用的從3.5GHz到28GHz的頻帶中的頻率的信號，甚至在超高頻帶中也具有低損耗的傳輸線的重要性也越來越增加。

發(fā)明內容

本發(fā)明旨在提供一種使用通過靜電紡絲形成的納米結構材料的涂層制造傳輸線的方法，該納米結構材料具有低介電常數(shù)并且能夠在該低介電常數(shù)下減小損耗正切值，以減小由電介質引起的傳輸線損耗，從而滿足低損耗和高性能傳輸線的需要。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種傳輸線，該傳輸線包括：由納米氟隆形成的第一納米氟隆層，在該第一納米氟隆層上方形成由絕緣材料形成的第一涂層，并且在該第一納米氟隆層下方形成由絕緣材料形成的第二涂層；第一圖案，其由形成在所述第一涂層上的第一導電層形成；以及第一接地層，其形成在所述第二涂層下方。這里，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。

所述第一圖案可以包括通過蝕刻所述第一導電層形成的接地線和信號線。

所述傳輸線可以進一步包括：位于所述第一圖案上的第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第三涂層；以及形成在所述第三涂層上的第二接地層。

所述傳輸線可以進一步包括：位于所述第一圖案上的第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上方形成由絕緣材料形成的第三涂層；形成在所述第三涂層上的第二接地層；形成在所述第二接地層上的第三納米氟隆層，在該第三納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第四涂層，并且在該第三納米氟隆層下方設置由絕緣材料形成的第五涂層；形成在所述第四涂層上的第二導電層；以及第二圖案，其通過蝕刻所述第二導電層形成并被配置為傳輸信號。所述第二圖案可以包括通過蝕刻所述第二導電層形成的接地線和被配置為發(fā)送信號的信號線。

所述傳輸線可以進一步包括：位于所述第二圖案上的第四納米氟隆層，所述第二圖案形成在所述第四涂層上，并且所述第四涂層通過蝕刻暴露，在所述第四納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第六涂層；以及形成在所述第六涂層上的第三接地層。