[發明專利]使用通過靜電紡絲形成的納米結構材料的傳輸線和制造該傳輸線的方法

在審

• 申請號: 201980056921.0
• 申請日: 2019-08-30
• 公開（公告）號: CN113168942A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 金炳南;姜敬逸
• 申請（專利權）人: 信思優有限公司
• 主分類號: H01B7/08
• 分類號: H01B7/08;H01B7/02;H01B13/00;H01B13/06;H01B3/30
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

1.一種使用納米結構材料的傳輸線，該傳輸線包括：

由納米氟隆形成的第一納米氟隆層，在該第一納米氟隆層上方形成由絕緣材料形成的第一涂層，并且在該第一納米氟隆層下方形成由絕緣材料形成的第二涂層；

第一圖案，其由形成在所述第一涂層上的第一導電層而形成；以及

第一接地層，其形成在所述第二涂層下方，

其中，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。

2.根據權利要求1所述的傳輸線，其中，所述第一圖案包括通過蝕刻所述第一導電層形成的接地線和信號線。

3.根據權利要求1所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：

位于所述第一圖案上的第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第三涂層；以及

形成在所述第三涂層上的第二接地層。

4.根據權利要求1所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：

位于所述第一圖案上的第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上方形成由絕緣材料形成的第三涂層；

形成在所述第三涂層上的第二接地層；

形成在所述第二接地層上的第三納米氟隆層，在該第三納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第四涂層，在該第三納米氟隆層下方設置由絕緣材料形成的第五涂層；

形成在所述第四涂層上的第二導電層；以及

第二圖案，其通過蝕刻所述第二導電層形成并被配置為傳輸信號。

5.根據權利要求4所述的傳輸線，其中，所述第二圖案包括通過蝕刻所述第二導電層形成的接地線和被配置為發送信號的信號線。

6.根據權利要求4所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：

位于所述第二圖案上的第四納米氟隆層，所述第二圖案形成在所述第四涂層上，并且所述第四涂層通過蝕刻暴露，在所述第四納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第六涂層；以及

第三接地層，其形成在所述第六涂層上。

7.根據權利要求4和6中任一項所述的傳輸線，其中，通過使用粘合帶或粘合劑或使用其中將熱施加到粘合帶上的熱粘合的粘合來進行定位。

8.根據權利要求1至6中任一項所述的傳輸線，其中，所述第一至第六涂層是聚酰亞胺(PI)，并且所述導電層是銅Cu。

9.一種使用通過靜電紡絲形成的納米結構材料制造傳輸線的方法，該方法包括：

通過用絕緣材料涂覆由納米氟隆形成的第一納米氟隆層的頂部和底部分別在所述頂部和所述底部上形成第一涂層和第二涂層；

在所述第一涂層上形成第一導電層；

通過蝕刻所述第一導電層形成發送和接收信號的第一圖案；以及

在所述第二涂層上形成第一接地層，

其中，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述第一圖案包括通過蝕刻所述第一導電層形成接地線和信號線。

11.根據權利要求9所述的方法，所述方法進一步包括：

在所述第一圖案上定位第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上設置由絕緣材料形成的第三涂層；以及

在所述第三涂層上形成第二接地層。

12.根據權利要求9所述的方法，所述方法進一步包括：

在所述第一圖案上定位第二納米氟隆層，所述第一圖案形成在所述第一涂層上，并且所述第一涂層通過蝕刻暴露，在所述第二納米氟隆層上方設置由絕緣材料形成的第三涂層；以及

在所述第三涂層上形成第二接地層。