[發明專利]襯底處理方法及襯底處理裝置在審
| 申請號: | 201980056867.X | 申請日: | 2019-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN112640057A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 加藤雅彥;髙橋弘明;藤原直澄;尾辻正幸;佐佐木悠太;山口佑 | 申請(專利權)人: | 株式會社斯庫林集團 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 襯底 處理 方法 裝置 | ||
本發明涉及一種進行升華干燥的襯底處理方法及襯底處理裝置,在使溶劑從包含覆蓋襯底表面的升華性物質的干燥前處理液的液膜蒸發而在襯底表面上形成包含升華性物質的凝固體,且使凝固體升華,由此,從襯底表面上將液膜排除的干燥前處理液膜排除工序中,產生區域并存狀態,所述區域并存狀態是凝固體升華使得襯底表面干燥的干燥區域、殘存有凝固體的凝固體殘存區域、及殘存有液膜的液體殘存區域依次從襯底表面的中央部朝向襯底表面的周緣部排列的狀態,一邊維持區域并存狀態一邊以凝固體殘存區域朝向襯底表面的周緣部移動的方式使干燥區域擴大。由此,能夠降低由固體狀態的升華性物質引起的應力的影響,從而減少襯底上的圖案崩塌。
技術領域
本發明涉及一種對襯底進行處理的襯底處理方法及襯底處理裝置。成為處理對象的襯底例如包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用襯底、有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用襯底、光盤用襯底、磁盤用襯底、磁光盤用襯底、光罩用襯底、陶瓷襯底、太陽電池用襯底等襯底。
背景技術
在半導體裝置或液晶顯示裝置等的制造工序中,對襯底視需要進行處理。這種處理包括將藥液或沖洗液等供給至襯底。供給沖洗液之后,將沖洗液從襯底去除,使襯底干燥。在對襯底逐片進行處理的單片式襯底處理裝置中,進行旋轉干燥,通過使襯底高速旋轉而將附著在襯底上的液體去除,由此使襯底干燥。
當襯底表面形成有圖案時,存在如下情況:當使襯底干燥時,附著在襯底上的沖洗液的表面張力作用在圖案上,導致圖案崩塌。作為針對以上問題的對策,采用如下方法:將IPA(異丙醇)等表面張力較低的液體供給至襯底,或將疏水化劑供給至襯底以使襯底表面疏水化而減小液體對圖案帶來的表面張力。然而,即便使用IPA或疏水化劑減小了作用在圖案上的表面張力,根據圖案的強度不同,仍擔心無法充分防止圖案崩塌。
近年來,作為防止圖案崩塌并且使襯底干燥的技術,升華干燥備受關注。在專利文獻1中公開了進行升華干燥的襯底處理方法及襯底處理裝置的一例。專利文獻1所記載的升華干燥是將升華性物質的溶液供給至襯底表面,將襯底上的DIW(去離子水)置換成升華性物質的溶液。之后,通過使升華性物質的溶液中的溶劑蒸發,使得升華性物質析出,形成包含固體狀態的升華性物質的膜。然后,通過將襯底加熱使升華性物質升華,而將包含固體狀態的升華性物質的膜從襯底去除。
背景技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本專利特開2012-243869號公報
發明內容
[發明要解決的問題]
如果升華性物質以固體狀態維持的時間較長,由固體狀態的升華性物質引起的應力作用在圖案上的時間就會變長,從而圖案容易崩塌。
專利文獻1所公開的升華干燥是在襯底的表面全域中固體狀態的升華性物質析出之后,使固體狀態的升華性物質升華。升華性物質的析出及升華開始的時點在襯底的整個表面并不相同,根據襯底表面上的各位置而不同。因此,關于升華性物質以固體狀態維持的時間,升華性物質的析出開始的時點越早的部位,所述時間越長,升華性物質的升華開始的時點越遲的部位,所述時間越長。因此,擔心在襯底表面上出現如下部位,所述部位上由固體狀態的升華性物質引起的應力作用在圖案上的時間變長。
因此,本發明的一個目的在于提供一種襯底處理方法及襯底處理裝置,能夠降低由包含升華性物質的凝固體引起的應力的影響,從而減少襯底上的圖案崩塌。
[解決問題的技術手段]
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于株式會社斯庫林集團,未經株式會社斯庫林集團許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980056867.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





