[發(fā)明專利]襯底處理方法及襯底處理裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980056867.X | 申請日: | 2019-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN112640057A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 加藤雅彥;髙橋弘明;藤原直澄;尾辻正幸;佐佐木悠太;山口佑 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社斯庫林集團(tuán) |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 陳甜甜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 襯底 處理 方法 裝置 | ||
1.一種襯底處理方法,包含:
干燥前處理液膜形成工序,通過將干燥前處理液供給至形成有圖案的襯底表面,而在所述襯底表面上形成覆蓋所述襯底表面的所述干燥前處理液的液膜,所述干燥前處理液是包含不經(jīng)過液體而從固體變成氣體的升華性物質(zhì)與使所述升華性物質(zhì)溶解的溶劑的溶液;以及
干燥前處理液膜排除工序,使所述溶劑從所述液膜蒸發(fā)而在所述襯底表面上形成包含所述升華性物質(zhì)的凝固體,且使所述凝固體升華,由此,從所述襯底表面上將所述液膜排除;且
所述干燥前處理液膜排除工序包含:區(qū)域并存狀態(tài)產(chǎn)生工序,產(chǎn)生區(qū)域并存狀態(tài),所述區(qū)域并存狀態(tài)是所述凝固體升華使得所述襯底表面干燥的干燥區(qū)域、殘存有所述凝固體的凝固體殘存區(qū)域及殘存有所述液膜的液體殘存區(qū)域依次從所述襯底表面的中央部朝向所述襯底表面的周緣部排列的狀態(tài);以及干燥區(qū)域擴(kuò)大工序,一邊維持所述區(qū)域并存狀態(tài),一邊以所述凝固體殘存區(qū)域朝向所述襯底表面的周緣部移動的方式將所述干燥區(qū)域擴(kuò)大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理方法,其中所述干燥區(qū)域擴(kuò)大工序包含如下工序,即,一邊將所述凝固體殘存區(qū)域維持為俯視下包圍所述干燥區(qū)域的環(huán)狀,一邊以所述凝固體殘存區(qū)域朝向所述襯底表面的周緣部移動的方式將所述干燥區(qū)域擴(kuò)大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的襯底處理方法,其還包含氣體供給工序,所述氣體供給工序是在所述干燥區(qū)域擴(kuò)大過程中,朝向所述凝固體殘存區(qū)域的所述凝固體、及所述液體殘存區(qū)域中接近所述凝固體殘存區(qū)域的部分的所述干燥前處理液供給氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理方法,其中所述氣體供給工序包含:氣體噴出工序,從噴嘴朝向所述襯底表面噴出氣體;以及噴嘴移動工序,隨著所述干燥區(qū)域擴(kuò)大,使所述噴嘴朝向所述襯底表面的周緣部移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的襯底處理方法,其還包含加熱工序,所述加熱工序是在所述干燥區(qū)域擴(kuò)大過程中,將所述凝固體殘存區(qū)域的所述凝固體、及所述液體殘存區(qū)域中接近所述凝固體殘存區(qū)域的部分的所述干燥前處理液加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的襯底處理方法,其中所述加熱工序包含加熱器移動工序,所述加熱器移動工序是隨著所述干燥區(qū)域擴(kuò)大而使加熱器朝向所述襯底表面的周緣部移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的襯底處理方法,其還包含襯底旋轉(zhuǎn)工序,所述襯底旋轉(zhuǎn)工序是與所述干燥前處理液膜形成工序及所述干燥前處理液膜排除工序并行地,使所述襯底繞著通過所述襯底表面的中央部的鉛直軸線旋轉(zhuǎn),且
所述襯底旋轉(zhuǎn)工序包含旋轉(zhuǎn)加速工序,所述旋轉(zhuǎn)加速工序是在開始所述干燥前處理液膜排除工序的同時使所述襯底加速旋轉(zhuǎn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理方法,其中所述區(qū)域并存狀態(tài)產(chǎn)生工序包含如下工序,即,通過朝向所述襯底表面的中央部吹送氣體,而在所述液膜的中央部形成所述干燥區(qū)域及所述凝固體殘存區(qū)域,且
所述旋轉(zhuǎn)加速工序包含如下工序,即,在所述區(qū)域并存狀態(tài)產(chǎn)生工序中開始吹送氣體的同時,使所述襯底加速旋轉(zhuǎn)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的襯底處理方法,其中所述區(qū)域并存狀態(tài)產(chǎn)生工序包含如下工序,即,通過將所述液膜的中央部加熱,而在所述液膜的中央部形成所述干燥區(qū)域及所述凝固體殘存區(qū)域,且
所述旋轉(zhuǎn)加速工序包含如下工序,即,在所述區(qū)域并存狀態(tài)產(chǎn)生工序中開始對所述液膜的中央部進(jìn)行加熱的同時,使所述襯底加速旋轉(zhuǎn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的襯底處理方法,其還包含:
沖洗液供給工序,對所述襯底表面供給沖洗液;以及
置換工序,通過將與所述沖洗液及所述干燥前處理液這兩種液體具有相溶性的置換液供給至所述襯底表面,而將所述襯底表面上的所述沖洗液利用所述置換液置換;且
所述干燥前處理液膜形成工序包含如下工序,即,在利用所述置換液置換所述沖洗液之后,將所述干燥前處理液供給至所述襯底表面。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





