[發明專利]成膜裝置以及成膜方法

在審

• 申請號: 201980056231.5
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112639158A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 小平周司;高橋鐵兵;飛石尭大;山村典史;片桐弘明;久保純也;鈴木正明
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/203
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 魏彥

1.一種成膜裝置，其中，

具有：

第一靶，

基板支架，支撐至少一個與所述第一靶相向的基板，所述基板支架以第一中心軸為中心旋轉，所述基板能夠以偏離所述第一中心軸的第二中心軸為中心旋轉，

真空容器，收納所述第一靶和所述基板支架，

電力源，向所述第一靶供給放電電力，以及

氣體供給機構，向所述真空容器供給放電氣體；

在將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第二中心軸之間的距離設為Ds，

將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第一靶的中心之間的距離設為Dt，

將所述第一靶的半徑設為R，

將所述第一中心軸的方向上的所述第一靶與所述基板之間的距離設為H，

將Ds與Dt的差的絕對值設為A的情況下，

滿足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的關系式。

2.根據權利要求1所述的成膜裝置，其中，

所述成膜裝置還具有第二靶，所述第二靶在與所述第一中心軸正交的方向上與所述第一靶并排設置，

在將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第二靶的中心之間的距離設為Dt'，

將所述第二靶的半徑設為R'，

將所述第一中心軸的方向上的所述第二靶與所述基板之間的距離設為H'，

將Ds與Dt'的差的絕對值設為A'的情況下，

滿足Ds+Dt'≥H'、A'≥R'、H'≥R'的關系式。

3.根據權利要求2所述的成膜裝置，其中，Ds與Dt的差的符號和Ds與Dt'的差的符號相反。

4.根據權利要求2或3所述的成膜裝置，其中，所述電力源向所述第一靶供給與所述第二靶不同的電力。

5.根據權利要求2～4中任一項所述的成膜裝置，其中，所述基板的表面、所述第一靶的表面以及所述第二靶的表面的法線中的任意法線與所述第一中心軸交叉。

6.一種成膜裝置，其中，

具有：

多個靶，

基板支架，支撐至少一個與所述多個靶相向的基板，所述基板支架以第一中心軸為中心旋轉，所述基板能夠以偏離所述第一中心軸的第二中心軸為中心旋轉，

真空容器，收納所述多個靶和所述基板支架，

電力源，向所述多個靶供給放電電力，以及

氣體供給機構，向所述真空容器供給放電氣體；

所述多個靶在與所述第一中心軸正交的方向上并排設置，

在將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第二中心軸之間的距離設為Ds，

將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述多個靶的任意靶的中心之間的距離設為Dt，

將所述靶的半徑設為R，

將所述第一中心軸的方向上的所述多個靶與所述基板之間的距離設為H，

將Ds與Dt的差的絕對值設為A的情況下，

滿足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的關系式。

7.一種成膜方法，其中，

在基板支架上支撐至少一個基板，所述基板支架收納在真空容器中并以第一中心軸為中心旋轉，被所述基板支架支撐的基板以偏離所述第一中心軸的第二中心軸為中心旋轉，

向所述真空容器供給放電氣體，

向與所述基板支架相向且收納在所述真空容器中的第一靶供給放電電力，

在將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第二中心軸之間的距離設為Ds，

將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第一靶的中心之間的距離設為Dt，

將所述第一靶的半徑設為R，

將所述第一中心軸的方向上的所述第一靶與所述基板之間的距離設為H，

將Ds與Dt的差的絕對值設為A的情況下，

在滿足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的關系式的條件下，在所述基板上成膜。

8.根據權利要求7所述的成膜方法，其中，

在所述真空容器內，在與所述第一中心軸正交的方向上與所述第一靶并排設置有第二靶，

向所述第二靶供給放電電力，

在將與所述第一中心軸正交的方向上的所述第一中心軸與所述第二靶的中心之間的距離設為Dt'，

將所述第二靶的半徑設為R'，

將所述第一中心軸的方向上的所述第二靶與所述基板之間的距離設為H'，

將Ds與Dt'的差的絕對值設為A'的情況下，

在滿足Ds+Dt'≥H'、A'≥R'、H'≥R'的關系式的條件下，在所述基板上成膜。