[發明專利]成膜裝置以及成膜方法

在審

• 申請號: 201980056231.5
• 申請日: 2019-10-30
• 公開（公告）號: CN112639158A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 小平周司;高橋鐵兵;飛石尭大;山村典史;片桐弘明;久保純也;鈴木正明
• 申請（專利權）人: 株式會社愛發科
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;H01L21/203
• 代理公司: 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258
• 代理人: 魏彥

以高量產性且更均勻的膜厚分布在基板上形成膜。在成膜裝置中，基板支架支撐至少一個與第一靶相向的基板，以第一中心軸為中心旋轉，基板能夠以偏離上述第一中心軸的第二中心軸為中心旋轉。真空容器收納上述第一靶和基板支架。電力源向第一靶供給放電電力。氣體供給機構向真空容器供給放電氣體。在將與第一中心軸正交的方向上的第一中心軸與第二中心軸之間的距離設為Ds，將與第一中心軸正交的方向上的第一中心軸與第一靶的中心之間的距離設為Dt，將第一靶的半徑設為R，將第一中心軸的方向上的第一靶與基板之間的距離設為H，將Ds與Dt的差的絕對值設為A的情況下，滿足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的關系式。

技術領域

本發明涉及一種成膜裝置以及成膜方法。

背景技術

近年來，在成膜裝置中，為了改善在基板上形成的膜的膜厚分布，提供了以下的裝置，即一邊使與濺射靶相向的基板支架旋轉且使被基板支架支撐的基板旋轉，一邊在基板上成膜(例如參照專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-147677號公報

發明內容

發明要解決的問題

在這樣的裝置中，存在不僅要求高的量產性，還對膜厚分布要求更嚴格的規格的情況。

鑒于以上的情況，本發明的目的在于，提供一種能夠以高量產性且更均勻的膜厚分布在基板上形成膜的成膜裝置以及成膜方法。

用于解決問題的手段

為了達成上述目的，本發明的一方式的成膜裝置具有第一靶、基板支架、真空容器、電力源以及氣體供給機構。

上述基板支架支撐至少一個與上述第一靶相向的基板，上述基板支架以第一中心軸為中心旋轉，上述基板能夠以偏離上述第一中心軸的第二中心軸為中心旋轉。

上述真空容器收納上述第一靶和上述基板支架。

上述電力源向上述第一靶供給放電電力。

上述氣體供給機構向上述真空容器供給放電氣體。

在將與上述第一中心軸正交的方向上的上述第一中心軸與上述第二中心軸之間的距離設為Ds，將與上述第一中心軸正交的方向上的上述第一中心軸與上述第一靶的中心之間的距離設為Dt，將上述第一靶的半徑設為R，將上述第一中心軸的方向上的上述第一靶與上述基板之間的距離設為H，將Ds與Dt的差的絕對值設為A的情況下，滿足Ds+Dt≥H、A≥R、H≥R的關系式。

根據這樣的成膜裝置，以第一靶、基板支架以及基板滿足上述關系的條件成膜，由此以高量產性且更均勻的膜厚分布在基板上形成膜。

在成膜裝置中還可以具有第二靶，上述第二靶在與上述第一中心軸正交的方向上與上述第一靶并排設置。

在將與上述第一中心軸正交的方向上的上述第一中心軸與上述第二靶的中心之間的距離設為Dt'，將上述第二靶的半徑設為R'，將上述第一中心軸的方向上的上述第二靶與上述基板之間的距離設為H'，將Ds與Dt'的差的絕對值設為A'的情況下，滿足Ds+Dt'≥H'、A'≥R'、H'≥R'的關系式。

根據這樣的成膜裝置，在除了第一靶之外，第二靶、基板支架以及基板也滿足上述關系的條件下成膜，由此以高量產性且更均勻的膜厚分布在基板上形成膜。

在成膜裝置中，Ds與Dt的差的符號可以和Ds與Dt'的差的符號相反。

根據這樣的成膜裝置，除了使用第一靶之外，還使用第二靶，由此以高量產性且更均勻的膜厚分布在基板上形成膜。

在成膜裝置中，上述電力源可以向上述第一靶供給與上述第二靶不同的電力。