[發明專利]處理系統和處理方法

有效

• 申請號: 201980056207.1
• 申請日: 2019-09-03
• 公開（公告）號: CN112638573B
• 公開（公告）日: 2023-08-22
• 發明（設計）人: 田之上隼斗
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: B23K26/53
• 分類號: B23K26/53;B28D5/00;H01L21/304;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

一種對處理對象體進行處理的處理系統，該處理系統具有：改性裝置，其在所述處理對象體的內部沿面方向形成內部面改性層；以及分離裝置，其以所述內部面改性層為基點分離所述處理對象體，所述改性裝置具有：激光照射部，其向所述處理對象體的內部照射多個激光束；以及移動機構，其使所述激光照射部和所述處理對象體相對地移動，所述改性裝置利用所述移動機構使來自所述激光照射部的所述多個激光束相對于所述處理對象體相對地移動，而形成所述內部面改性層。

技術領域

本公開涉及處理系統和處理方法。

背景技術

專利文獻1中公開有一種層疊型半導體裝置的制造方法。在該制造方法中，將兩個以上的半導體晶圓層疊而制造層疊型半導體裝置。此時，各半導體晶圓在層疊于其他半導體晶圓之后被進行背面磨削，以具有規定的厚度。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012－69736號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開所涉及的技術能高效地使處理對象體薄化。

用于解決問題的方案

本公開的一技術方案為一種處理系統，其對處理對象體進行處理，其中，該處理系統具有：改性裝置，其在所述處理對象體的內部沿面方向形成內部面改性層；以及分離裝置，其以所述內部面改性層為基點分離所述處理對象體，所述改性裝置具有：激光照射部，其向所述處理對象體的內部照射多個激光束；以及移動機構，其使所述激光照射部和所述處理對象體相對地移動，所述改性裝置利用所述移動機構使來自所述激光照射部的所述多個激光束相對于所述處理對象體相對地移動，而形成所述內部面改性層。

發明的效果

根據本公開，能夠高效地使處理對象體薄化。

附圖說明

圖1是示意性表示本實施方式所涉及的晶圓處理系統的結構的概略的俯視圖。

圖2是表示層疊晶圓的結構的概略的側視圖。

圖3是表示層疊晶圓的局部的結構的概略的側視圖。

圖4是表示改性裝置的結構的概略的側視圖。

圖5是表示分離裝置的結構的概略的側視圖。

圖6是表示本實施方式所涉及的晶圓處理的主要的工序的流程圖。

圖7是本實施方式所涉及的晶圓處理的主要的工序的說明圖。

圖8是表示改性裝置中在處理晶圓形成周緣改性層和分割改性層的形態的說明圖。

圖9是表示改性裝置中在處理晶圓形成周緣改性層和分割改性層的形態的說明圖。

圖10是表示周緣去除裝置中去除處理晶圓的周緣部的形態的說明圖。

圖11是表示改性裝置中在處理晶圓形成內部面改性層的形態的說明圖。

圖12是表示改性裝置中在處理晶圓形成內部面改性層的形態的說明圖。

圖13是表示分離裝置中從處理晶圓分離背面晶圓的形態的說明圖。

圖14是表示另一實施方式所涉及的改性裝置的結構的概略的側視圖。

圖15是表示另一實施方式的改性裝置中在處理晶圓形成內部面改性層的形態的說明圖。