[發明專利]外延基板

在審

• 申請號: 201980056163.2
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN112602171A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 堀切文正;成田好伸;鹽島謙次
• 申請（專利權）人: 賽奧科思有限公司;住友化學株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;C23C16/34;C30B25/20;C30B29/38;H01L21/205
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

外延基板具備主面為c面的GaN基板、以及在主面上外延生長的GaN層，主面具有偏離角為0.4°以上的區域，在該區域上生長的前述GaN層中的E3陷阱濃度為3.0×10¹³cm^?3以下。

技術領域

本發明涉及外延基板。

背景技術

氮化鎵(GaN)作為用于制造發光元件、晶體管等半導體裝置的材料而使用。通過使用在GaN基板上外延生長的高品質GaN層，能夠獲得高性能的半導體裝置。

GaN層所含的陷阱會使半導體裝置的特性降低。作為GaN層所含的主要陷阱，已知電子陷阱E3(以下也稱為E3陷阱)，優選GaN層中的E3陷阱濃度低。此外，優選GaN層中的E3陷阱濃度的偏差小。非專利文獻1中說明了E3陷阱濃度因GaN層中的碳濃度減少而增加。

現有技術文獻

非專利文獻

非專利文獻1：T.Tanaka,K.Shiojima,T.Mishima and Y.Tokuda，“Deep-leveltransient spectroscopy of low-free-carrier-concentration n-GaN layers grownon freestanding GaN substrates:Dependence on carbon compensation ratio”,Japanese Journal of Applied Physics 55,061101(2016)

發明內容

發明要解決的問題

本發明的一個目的是提供具備在GaN基板上外延生長的GaN層，且GaN層中的E3陷阱濃度的大小受到抑制的外延基板。

本發明的其它目的是提供具備在GaN基板上外延生長的GaN層，且GaN層中的E3陷阱濃度的偏差受到抑制的外延基板。

用于解決問題的方案

根據本發明的一個方式，提供一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在前述主面上外延生長的GaN層，

前述主面具有偏離角為0.4°以上的區域，在該區域上生長的前述GaN層中的E3陷阱濃度為3.0×10¹³cm^-3以下。

根據本發明的其它方式，提供一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在前述主面上外延生長的GaN層，

前述主面具有偏離角為0.4°以上的區域，在該區域上生長的前述GaN層中，最大的E3陷阱濃度相對于最小的E3陷阱濃度的比率為1.5倍以下。

根據本發明的其它方式，提供一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在前述主面上外延生長的GaN層，

前述GaN層中的E3陷阱濃度顯示出隨著前述主面中的偏離角變大而減少的傾向。

發明的效果

提供具備在GaN基板上外延生長的GaN層，且GaN層中的E3陷阱濃度的大小或偏差受到抑制的外延基板。

附圖說明

圖1的(a)是表示本發明的一個實施方式的外延基板的概略截面圖，圖1的(b)是表示實驗例中的測定試樣的概略立體圖。