[發明專利]外延基板

在審

• 申請號: 201980056163.2
• 申請日: 2019-08-20
• 公開（公告）號: CN112602171A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 堀切文正;成田好伸;鹽島謙次
• 申請（專利權）人: 賽奧科思有限公司;住友化學株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;C23C16/34;C30B25/20;C30B29/38;H01L21/205
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在所述主面上外延生長的GaN層，

所述主面具有偏離角為0.4°以上的區域，在該區域上生長的所述GaN層中的E3陷阱濃度為3.0×10¹³cm^-3以下。

2.根據權利要求1所述的外延基板，其中，在所述區域上生長的所述GaN層中，最大的E3陷阱濃度相對于最小的E3陷阱濃度的比率為1.5倍以下。

3.一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在所述主面上外延生長的GaN層，

所述主面具有偏離角為0.4°以上的區域，在該區域上生長的所述GaN層中，最大的E3陷阱濃度相對于最小的E3陷阱濃度的比率為1.5倍以下。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的外延基板，其中，在所述區域上生長的所述GaN層中的碳濃度為5×10¹⁵cm^-3以下。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的外延基板，其中，在所述區域上生長的所述GaN層中的載流子濃度為6×10¹⁵cm^-3以上。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的外延基板，其中，在所述區域上生長的所述GaN層中的載流子濃度為1×10¹⁶cm^-3以下。

7.一種外延基板，其具備：

主面為c面的GaN基板；以及

在所述主面上外延生長的GaN層，

所述GaN層中的E3陷阱濃度顯示出隨著所述主面中的偏離角變大而減少的傾向。

8.根據權利要求7所述的外延基板，其中，在所述傾向中，隨著偏離角變大，E3陷阱濃度減少的程度變小。