[發(fā)明專利]含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法和含硅氧化物被覆氮化鋁粒子

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980055075.0
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN112585087B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 大冢雄樹;岡本英俊;御法川直樹
• 申請（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: C01B21/072
• 分類號: C01B21/072;C08K9/06;C08L101/00;C09C1/40;C09C3/12
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 李照明;段承恩

1.一種含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子具有氮化鋁粒子和覆蓋所述氮化鋁粒子表面的含硅氧化物被膜，所述制造方法具有：

通過具有下述式(1)所示結(jié)構(gòu)的有機硅氧烷化合物覆蓋所述氮化鋁粒子表面的第1步驟，以及

在300℃以上且小于1000℃的溫度下加熱被所述有機硅氧烷化合物覆蓋的所述氮化鋁粒子的第2步驟；其中

所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的碳原子含量為小于1000質(zhì)量ppm；

式(1)中，R為碳原子數(shù)4以下的烷基，

所述具有式(1)所示結(jié)構(gòu)的有機硅氧烷化合物包含下述式(2)所示的化合物和下述式(3)所示的化合物中的至少一者；

式(2)中，R1和R2各自獨立為氫原子或甲基，R1和R2中的至少一者為氫原子，m為0～10的整數(shù)；

式(3)中，n為3～6的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第2步驟的加熱溫度為300℃以上且800℃以下，所述含硅氧化物被膜為二氧化硅被膜，所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子為二氧化硅被覆氮化鋁粒子。

3.如權(quán)利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，在所述第1步驟中，所述有機硅氧烷化合物的被覆量是：根據(jù)所述氮化鋁粒子的通過BET法求出的比表面積所算出的表面積每1m²上為0.1mg以上且1.0mg以下，所述比表面積的單位為m²/g。

4.如權(quán)利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第1步驟通過干式混合法或氣相吸附法進行。

5.如權(quán)利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第1步驟在不包含氧氣的環(huán)境下進行。

6.如權(quán)利要求1所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第1步驟在10℃以上且200℃以下的溫度條件下進行。

7.一種散熱性樹脂組合物的制造方法，具有以下混合步驟：將通過權(quán)利要求1～6中任一項所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法制造出的所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子與樹脂混合。

8.一種含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子具有氮化鋁粒子和覆蓋所述氮化鋁粒子表面的含硅氧化物被膜，所述制造方法具有：

通過具有下述式(1)所示結(jié)構(gòu)的有機硅氧烷化合物覆蓋所述氮化鋁粒子表面的第1步驟，以及

在300℃以上且小于1000℃的溫度下加熱被所述有機硅氧烷化合物覆蓋的所述氮化鋁粒子的第2步驟；其中

所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的碳原子含量為小于1000質(zhì)量ppm；

式(1)中，R為碳原子數(shù)4以下的烷基，

所述第1步驟通過氣相吸附法進行。

9.如權(quán)利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第2步驟的加熱溫度為300℃以上且800℃以下，所述含硅氧化物被膜為二氧化硅被膜，所述含硅氧化物被覆氮化鋁粒子為二氧化硅被覆氮化鋁粒子。

10.如權(quán)利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，在所述第1步驟中，所述有機硅氧烷化合物的被覆量是：根據(jù)所述氮化鋁粒子的通過BET法求出的比表面積所算出的表面積每1m²上為0.1mg以上且1.0mg以下，所述比表面積的單位為m²/g。

11.如權(quán)利要求8所述的含硅氧化物被覆氮化鋁粒子的制造方法，所述第1步驟在不包含氧氣的環(huán)境下進行。