[發明專利]熱敏電阻及熱敏電阻的制造方法

有效

• 申請號: 201980054000.0
• 申請日: 2019-08-21
• 公開（公告）號: CN112567484B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 米澤岳洋;日向野憐子
• 申請（專利權）人: 三菱綜合材料株式會社
• 主分類號: H01C7/02
• 分類號: H01C7/02;H01C7/04;H01C17/00;H01C17/02
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 辛雪花;周艷玲

一種熱敏電阻，具備：熱敏電阻基體(11)、形成于熱敏電阻基體(11)的表面的保護膜(20)及分別形成于熱敏電阻基體(11)的兩端部的電極部，其中，保護膜(20)由硅氧化物構成，觀察熱敏電阻基體(11)與保護膜(20)的接合界面的結果，所觀察到的剝離部(21)的長度L與觀察視場中的接合界面的長度L₀之比L/L₀為0.16以下。

技術領域

本發明涉及一種在熱敏電阻基體的表面形成有保護膜的熱敏電阻及熱敏電阻的制造方法。

本申請主張基于2018年8月23日在日本申請的專利申請2018-156647號、2019年8月5日在日本申請的專利申請2019-143817號及2019年8月5日在日本申請的專利申請2019-143890號的優先權，并將其內容援用在此。

背景技術

上述熱敏電阻具有電阻根據溫度而變化的特性，適用于各種電子設備的溫度補償或溫度傳感器等。尤其，最近廣泛使用安裝于電路基板的芯片型熱敏電阻。

上述熱敏電阻為熱敏電阻基體與在該熱敏電阻基體的兩端形成有一對電極部的結構。

熱敏電阻基體具有容易受酸或堿的影響并且容易還原的性質。而且，若組成改變，則特性可能會改變。因此，例如，如專利文獻1、2所示，提出了使保護膜在熱敏電阻基體的表面成膜的技術。

另外，對于保護膜來說，為了抑制隨后的工序或使用時的熱敏電阻基體的劣化，要求對電鍍液的耐性、耐環境性、絕緣性等。

在此，在專利文獻1、2中，通過在熱敏電阻基體的表面涂布玻璃漿料并進行燒成，從而使由玻璃構成的保護膜成膜。

并且，還提出了通過濺射法使由SiO₂構成的保護膜在熱敏電阻基體的表面成膜的方法。

另外，使保護膜在熱敏電阻基體的表面成膜時，在形成有保護膜的熱敏電阻基體的兩端形成電極部。在此，電極部是通過在熱敏電阻基體的兩端例如涂布金屬漿料并進行燒成而形成的。因此，形成有保護膜的熱敏電阻基體加熱至例如700℃以上。

專利文獻1：日本特開平03-250603號公報

專利文獻2：日本特開2003-077706號公報

如專利文獻1、2所示，涂布玻璃漿料并進行燒成的方法有可能對小型的熱敏電阻基體無法穩定地涂布玻璃漿料，無法形成足夠的厚度的保護膜。并且，由于因電鍍液從針孔侵入而導致的熱敏電阻基體侵蝕、因玻璃膜(保護膜)的膜厚不均勻而導致的熱敏電阻基體的翹曲、或因在印刷工序中的破損而導致的成品率惡化，從而難以大量生產。

并且，通過濺射法使由SiO₂構成的保護膜成膜時，由于使用硅靶，通過反應性濺射而成膜，因此無法根據化學計量比來成膜，成為如SiO_2-X那樣被弱還原的膜。因此，在隨后的工序中形成電極部時的加熱時，熱敏電阻基體的氧被弱還原狀態的硅氧化物膜剝奪，從而可能會產生熱敏電阻基體與保護膜部分剝離，或形成組成不均勻。

當熱敏電阻基體與保護膜部分剝離時，保護膜的密合性降低，在隨后的電鍍工序等中保護膜剝離，電鍍液侵蝕熱敏電阻基體，從而導致特性改變。并且，當產生還原或組成不均勻時，保護膜的耐性可能會變得不足，導致熱敏電阻基體的特性改變。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于提供一種熱敏電阻基體與保護膜的密合性優異，能夠抑制制造時或使用時熱敏電阻基體特性的變化，并且能夠穩定地使用的熱敏電阻及該熱敏電阻的制造方法。