[發(fā)明專利]熱敏電阻及熱敏電阻的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980054000.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112567484B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-08-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 米澤岳洋;日向野憐子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱綜合材料株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01C7/02
• 分類號(hào): H01C7/02;H01C7/04;H01C17/00;H01C17/02
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 辛雪花;周艷玲

1.一種熱敏電阻，其特征在于，具備熱敏電阻基體、形成于所述熱敏電阻基體的表面的保護(hù)膜及分別形成于所述熱敏電阻基體的兩端部的電極部，所述熱敏電阻的特征在于，

所述保護(hù)膜由硅氧化物構(gòu)成，

觀察所述熱敏電阻基體與所述保護(hù)膜的接合界面的結(jié)果，所觀察到的剝離部的長(zhǎng)度L與觀察視場(chǎng)中的接合界面的長(zhǎng)度L₀之比L/L₀為0.16以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱敏電阻，其特征在于，

所述保護(hù)膜的膜厚在50nm以上且1000nm以下的范圍內(nèi)。

3.一種熱敏電阻的制造方法，制造熱敏電阻，所述熱敏電阻具備熱敏電阻基體、形成于所述熱敏電阻基體的表面的保護(hù)膜及分別形成于所述熱敏電阻基體的兩端部的電極部，所述熱敏電阻的制造方法的特征在于，

具備保護(hù)膜形成工序，所述保護(hù)膜形成工序通過(guò)在包含硅醇鹽、水、有機(jī)溶劑及堿的反應(yīng)液中浸漬所述熱敏電阻基體，并利用所述硅醇鹽的水解及縮聚反應(yīng)而在所述熱敏電阻基體的表面析出硅氧化物，從而使所述保護(hù)膜成膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，

在所述保護(hù)膜形成工序之后，具備電極部形成工序，所述電極部形成工序通過(guò)將金屬漿料涂布于所述熱敏電阻基體的兩端面并進(jìn)行燒成，從而形成所述電極部。

5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的熱敏電阻的制造方法，其特征在于，

所述堿包含堿金屬化合物。