[發明專利]發光器件、包括發光器件的像素結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201980053361.3
• 申請日: 2019-02-13
• 公開（公告）號: CN112567513A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 任鉉德;姜鍾赫;趙顯敏
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/56;H01L33/54;H01L33/36;H01L33/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 楊永良;韓芳

本發明涉及一種發光器件、一種包括該發光器件的像素結構及其制造方法，該發光器件包括：第一半導體層；第二半導體層，與第一半導體層相對；活性層，置于第一半導體層與第二半導體層之間；第一絕緣膜，包圍第一半導體層、第二半導體層和活性層之中的至少一層的外表面；以及第二絕緣膜，包圍第一絕緣膜的外表面。

技術領域

本公開涉及一種發光元件、一種包括該發光元件的像素結構以及一種制造該像素結構的方法。

背景技術

發光二極管(LED)即使在差的環境條件下也可以具有相對令人滿意的耐久性，并且在壽命和亮度方面具有優異的性能。近來，對將發光元件應用于各種發光裝置的技術的研究已經變得越來越活躍。

作為這種研究的一部分，正在開發使用無機晶體結構(例如，通過生長氮化物基半導體獲得的結構)制造具有與微米級或納米級對應的小尺寸的發光元件的技術。例如，超小型發光元件可以以足夠小的尺寸制造以形成自發射顯示面板的像素等。

發光元件直接生長在電極上，或者發光元件單獨地且獨立地生長然后設置在電極上，使得發光元件設置在電極之間。在設置發光元件之后，電極和發光元件經由單獨提供的結合電極電結合。隨著發光元件的尺寸以納米單位減小，當進行電結合時，由于工藝難度的增加而發生故障的可能性很高。

發明內容

技術問題

本公開的各種實施例涉及一種發光元件，包括該發光元件的像素結構以及制造該像素結構的方法，在該像素結構中，有機絕緣膜形成在發光元件的外表面上以通過化學反應而被改性為疏水性。

本公開的其他實施例涉及一種制造像素結構的方法，在該方法中，在發光元件排列之后，僅通過表面處理選擇性地對有機層進行疏水處理，因此能夠僅在期望的區域中形成結合電極。

技術方案

根據本公開的一方面，一種發光器件可以包括：第一半導體層；第二半導體層，面對所述第一半導體層；活性層，置于第一半導體層與第二半導體層之間；第一絕緣膜，圍繞第一半導體層、第二半導體層和活性層中的至少一個的外表面；以及第二絕緣膜，圍繞第一絕緣膜的外表面。

第二絕緣膜可以包括有機聚合物材料。

發光元件還可以包括疏水層，疏水層設置在第二絕緣膜的表面的至少一部分上。

第二絕緣膜可以包括聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚酰胺(PA)、聚酯和聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一種。

此外，發光元件還可以包括第一電極和面對第一電極的第二電極中的至少一個。第一半導體層可以置于第一電極與活性層之間，并且第二半導體層可以置于第二電極與活性層之間。

根據本公開的一方面，一種像素結構可以包括：基底；電極組件，包括設置在基底上的第一電極以及與第一電極設置在同一平面上以與第一電極間隔開的第二電極；發光元件，在第一電極與第二電極之間排列；以及結合電極組件，包括第一結合電極和第二結合電極，第一結合電極形成在第一電極上以將發光元件的第一端和第一電極結合，第二結合電極形成在第二電極上以將發光元件的第二端和第二電極結合，其中，發光元件可以包括第一半導體層；第二半導體層，面對第一半導體層的；活性層，置于第一半導體層與第二半導體層之間；第一絕緣膜，圍繞第一半導體層、第二半導體層和活性層中的至少一個的外表面；以及第二絕緣膜，圍繞第一絕緣膜的外表面。

像素結構還可以包括第一疏水層，第一疏水層形成在第二絕緣膜的被暴露的表面上。

像素結構還可以包括有機層，有機層設置在發光元件上。

像素結構還可以包括第二疏水層，第二疏水層形成在有機層的表面上。

像素結構還可以包括壩結構，壩結構設置在第一電極和第二電極的外部，并且包括有機物。