[發明專利]發光器件、包括發光器件的像素結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201980053361.3 | 申請日: | 2019-02-13 |
| 公開(公告)號: | CN112567513A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | 任鉉德;姜鍾赫;趙顯敏 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/56;H01L33/54;H01L33/36;H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 楊永良;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 包括 像素 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光器件,所述發光器件包括:
第一半導體層;
第二半導體層,面對所述第一半導體層;
活性層,置于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間;
第一絕緣膜,圍繞所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述活性層中的至少一個的外表面;以及
第二絕緣膜,圍繞所述第一絕緣膜的外表面。
2.根據權利要求1所述的發光器件,其中,所述第二絕緣膜包括有機聚合物材料。
3.根據權利要求2所述的發光器件,所述發光器件還包括:
疏水層,設置在所述第二絕緣膜的表面的至少一部分上。
4.根據權利要求1所述的發光器件,其中,所述第二絕緣膜包括聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯(PE)、聚酰胺(PA)、聚酯和聚四氟乙烯(PTFE)中的至少一種。
5.一種像素結構,所述像素結構包括:
基底;
電極組件,包括設置在所述基底上的第一電極以及與所述第一電極設置在同一平面上以與所述第一電極間隔開的第二電極;
發光器件,在所述第一電極與所述第二電極之間排列;以及
結合電極組件,包括第一結合電極和第二結合電極,所述第一結合電極形成在所述第一電極上以將所述發光器件的第一端和所述第一電極結合,所述第二結合電極形成在所述第二電極上以將所述發光器件的第二端和所述第二電極結合,
其中,所述發光器件包括:
第一半導體層;
第二半導體層,面對所述第一半導體層;
活性層,置于所述第一半導體層與所述第二半導體層之間;
第一絕緣膜,圍繞所述第一半導體層、所述第二半導體層和所述活性層中的至少一個的外表面;以及
第二絕緣膜,圍繞所述第一絕緣膜的外表面。
6.根據權利要求5所述的像素結構,所述像素結構還包括:
第一疏水層,形成在所述第二絕緣膜的被暴露的表面上。
7.根據權利要求6所述的像素結構,所述像素結構還包括:
有機層,設置在所述發光器件上。
8.根據權利要求7所述的像素結構,所述像素結構還包括:
第二疏水層,形成在所述有機層的表面上。
9.根據權利要求8所述的像素結構,所述像素結構還包括:
壩結構,設置在所述第一電極和所述第二電極的外部,并且包括有機材料。
10.根據權利要求9所述的像素結構,所述像素結構還包括:
第三疏水層,形成在所述壩結構的表面上。
11.根據權利要求10所述的像素結構,其中,所述第一結合電極和所述第二結合電極形成在沒有形成所述第一疏水層、所述第二疏水層和所述第三疏水層的區域中。
12.根據權利要求5所述的像素結構,所述像素結構還包括:
絕緣層,設置在所述基底與所述發光器件之間,并且包括無機材料。
13.一種制造像素結構的方法,所述方法包括以下步驟:
在基底上形成第一電極和第二電極以在所述第一電極與所述第二電極之間具有預定間隔;
在所述第一電極和所述第二電極的外部形成壩結構,所述壩結構由有機材料形成;
在所述第一電極和所述第二電極上形成絕緣層,所述絕緣層由無機材料形成;
使發光器件在所述第一電極與所述第二電極之間排列;
對其上排列有所述發光器件的所述基底進行等離子處理;
去除所述絕緣層的至少一部分;以及
形成將所述發光器件結合到所述第一電極的第一結合電極和將所述發光器件結合到所述第二電極的第二結合電極。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980053361.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





