[發明專利]有機-無機雜化光刻膠工藝液體組合物

在審

• 申請號: 201980052922.8
• 申請日: 2019-07-05
• 公開（公告）號: CN112543890A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: 李秀珍;李昇勛;李昇炫
• 申請（專利權）人: 榮昌化學制品株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/20
• 代理公司: 北京青松知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11384
• 代理人: 鄭青松

本發明涉及一種在有機?無機雜化光刻膠的薄膜形成工藝、顯影工藝、剝離工藝中使用的有機?無機雜化光刻膠工藝液體組合物及其處理方法。工藝液體組合物由：化學式1的化合物，以及酮類、酯類、醚類、添加劑或它們的混合物組成。工藝液體組合物不僅對有機物的處理優異而且對無機物的吸附能力優異而使無機物的殘留最小化，從而能夠預防工藝不良。

技術領域

本發明涉及一種在基材上形成有機-無機雜化光刻膠的工藝中或在處理所形成的有機-無機雜化光刻膠時適用的工藝液體組合物及利用該工藝液體組合物的有機-無機雜化光刻膠處理方法。

背景技術

利用光刻膠的工藝從很早以前就被使用在半導體工藝中。但是隨著不斷進行微細化，能夠微細化的光刻膠的曝光光源也發生變化，由此光刻膠的材料也在發生變化。從利用I-線(I-line)光源的光刻膠開始，開發了適合于利用KrF、ArF浸沒式(Emmersion)、EUV光源的工藝中的材料。但是，隨著使用專用且適合于微細圖案化的材料，發生這些材料的蝕刻耐性等物理特性降低的問題，因而采用有機-無機雜化材料作為一種應用登場。由于聚硅氧烷、聚硅氮烷等有機-無機雜化材料具有各種優異的物性，因而在半導體工藝中被使用為縫隙填充用材料及反射防止膜等的材料，但本身不具有感光性特性，因而并不直接被使用為圖案化材料。

但是，最近正在利用鈷、鉿、錫及銻等來制備有機-無機雜化材料而開發能夠圖案化的材料，并且為了將它們適用于半導體工藝中，需要能夠處理它們的藥液。

通常，在以旋轉法的方式涂布光刻膠溶液來形成感光性膜時，同時實施邊緣沖洗工藝，另外與此同時，為了防止晶圓背面的污染而實施背面沖洗。另外，在涂布的光刻膠上進行曝光之后，進行顯影工藝。另外，當在形成涂布膜之后發生問題時或工藝結束之后為了去除光刻膠膜而需要進行剝離、清洗或沖洗。

現有的光刻膠，為了處理由有機物組成的光刻膠或最近正在開發的有機-無機雜化光刻膠，需要新的材料的組合物。因此，本發明的目的在于提供一種在形成有機-無機雜化光刻膠涂膜的工藝及對它們進行剝離、清洗及沖洗的工藝中沒有問題的處理溶劑以及使用其的有機-無機雜化光刻膠的處理方法。另外，有機-無機雜化光刻膠包含有無機物，因而對它們的溶解性必須優異且無機物的去除性必須優異。并且，其目的在于提供一種不會給光刻膠的涂膜帶來影響的處理溶劑及處理方法。

發明內容

要解決的技術問題

本發明為了解決上述問題，其目的在于提供一種具有在利用有機-無機雜化光刻膠進行圖案化工藝中，能夠對涂布膜形成不會帶來影響的同時防止通過邊緣沖洗或背面沖洗的晶圓基材的污染，并能夠在曝光工藝之后進行顯影，且在有機-無機雜化光刻膠的涂布錯誤或工藝結束之后將其去除的剝離、清洗及沖洗工藝中不產生顆粒問題的具有優異性能的處理溶劑，并提供利用其的處理方法。

解決問題的方法

對于在使用有機-無機雜化光刻膠的工藝中，在與涂布有機-無機雜化光刻膠的工藝同時實現的邊緣沖洗工藝及背面沖洗工藝、曝光之后的顯影工藝、去除光刻膠的返工工藝中，處理有機-無機雜化光刻膠的剝離、清洗及沖洗液的組合物。

有機-無機雜化光刻膠組合物是在通過EUV、ArF及KrF激光照射進行的圖案化工藝中所使用的材料，且這些無機物由鈷(Co)、銻(Sb)、鉿(Hf)、鈀(Pd)、錫(Sn)及它們的混合物組成，也有由有機配體和陽離子無機配體組成的情況。

有機-無機雜化光刻膠工藝液體組合物是包含下面的化學式1的組合物。

[化學式1]

上述化學式1中，R₁、R₂及R₃相互獨立地為碳數為1至6的烷基、芐基或烷基醇基。

有機-無機雜化光刻膠工藝液體組合物可以由以下組成來使用，即：由